制备ITO薄膜的工艺研究
| 第一章 绪论 | 第1-20页 |
| ·透明导电膜的种类及特点 | 第10-13页 |
| ·ITO 薄膜的组织结构及能带 | 第10-12页 |
| ·ITO 薄膜的电学性质 | 第12页 |
| ·ITO 薄膜的光学性质 | 第12-13页 |
| ·ITO 薄膜的应用 | 第13-14页 |
| ·ITO 薄膜的制备工艺 | 第14-18页 |
| ·磁控溅射 | 第15页 |
| ·化学气相沉积 | 第15-16页 |
| ·真空蒸发镀膜 | 第16-17页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第17-18页 |
| ·喷射热分解 | 第18页 |
| ·微波ECR 等离子体反应蒸发沉积 | 第18页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第18页 |
| ·研究与应用现状及存在的问题 | 第18-19页 |
| ·本章总结 | 第19-20页 |
| 第二章 溅射镀膜的原理 | 第20-31页 |
| ·溅射机理及特点 | 第20-22页 |
| ·溅射特性的表征 | 第22-25页 |
| ·溅射阈值 | 第22页 |
| ·溅射率 | 第22-24页 |
| ·溅射原子的能量和速度 | 第24-25页 |
| ·溅射原子的角度分布 | 第25页 |
| ·溅射过程 | 第25-28页 |
| ·靶材的溅射过程 | 第25-26页 |
| ·溅射粒子的迁移过程 | 第26-27页 |
| ·溅射粒子的成膜过程 | 第27-28页 |
| ·溅射镀膜类型 | 第28-30页 |
| ·直流溅射 | 第28-29页 |
| ·射频溅射 | 第29页 |
| ·磁控溅射 | 第29-30页 |
| ·对向靶溅射 | 第30页 |
| ·反应溅射 | 第30页 |
| ·离子束溅射 | 第30页 |
| ·本章总结 | 第30-31页 |
| 第三章 实验和测试 | 第31-40页 |
| ·实验设备 | 第31-32页 |
| ·实验方法 | 第32-33页 |
| ·正交分析法原理 | 第32-33页 |
| ·正交试验设计 | 第33页 |
| ·实验过程 | 第33-34页 |
| ·实验准备 | 第33页 |
| ·实验过程 | 第33-34页 |
| ·测试仪器和方法 | 第34-39页 |
| ·可见光透过率光谱 | 第34-35页 |
| ·薄膜方阻及电阻率的测试 | 第35-36页 |
| ·薄膜厚度的测试 | 第36-37页 |
| ·XRD 分析 | 第37-38页 |
| ·SEM 分析 | 第38-39页 |
| ·实验目标 | 第39页 |
| ·本章总结 | 第39-40页 |
| 第四章 工艺参数对ITO 薄膜性能的影响 | 第40-55页 |
| ·正交试验结果与分析 | 第40-41页 |
| ·溅射压强和氩氧比例对ITO 薄膜性能的影响 | 第41-46页 |
| ·溅射压强和氩氧比例对ITO 薄膜方阻的影响 | 第41-42页 |
| ·溅射压强和氩氧比例对ITO 薄膜表面形貌的影响 | 第42-45页 |
| ·溅射压强和氩氧比例对ITO 薄膜光学性能的影响 | 第45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| ·沉积温度和退火温度对薄膜性能的影响 | 第46-50页 |
| ·沉积温度和退火温度对薄膜方块电阻的影响 | 第46-48页 |
| ·沉积温度和退火温度对薄膜光学性能的影响 | 第48页 |
| ·沉积温度和退火温度对薄膜结晶性的影响 | 第48-50页 |
| ·结论 | 第50页 |
| ·其他因素对薄膜性能的影响 | 第50-53页 |
| ·退火时间和退火氛围对薄膜方阻的影响 | 第50-51页 |
| ·溅射功率和靶基间距对薄膜性能的影响 | 第51-52页 |
| ·结论 | 第52-53页 |
| ·正交实验最佳工艺参数 | 第53页 |
| ·本章总结 | 第53-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 致 谢 | 第59-60页 |
| 个人简历及发表的学术论文 | 第60页 |
