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Al-Ag合金的价电子结构及其对合金性能的影响

第一章 绪论第1-22页
   ·Al-Ag合金研究的进展与现状第12-19页
     ·Al-Ag合金GP区的研究第12-14页
     ·Al-Ag合金脱溶相的研究第14-16页
     ·Al-Ag合金无沉淀带的研究第16-18页
     ·合金界面的研究第18-19页
   ·Al-Ag合金脱溶相的形成及长大第19-20页
   ·Al-Ag合金的强化机理第20-21页
     ·Al-Ag合金的固溶强化第20页
     ·时效强化第20-21页
     ·热处理强化第21页
   ·本研究的目的及意义第21-22页
第二章 固体与分子经验电子理论介绍第22-33页
   ·引言第22页
   ·基本概念第22-24页
   ·EET理论的几个基本假设第24-28页
     ·关于分子和固体中原子状态的假定第24-25页
     ·关于不连续状态杂化的假定第25-27页
     ·关于键距的假定第27页
     ·关于等效价电子的假定第27-28页
   ·键距差(BLD)法第28-31页
     ·BLD法的基本思想第28-29页
     ·BLD法第29-31页
   ·程氏理论(TFD理论)第31-33页
第三章 Al-Ag合金相空间的电子结构计算及分析第33-50页
   ·α-Al相空间的电子结构第33-36页
     ·α-Al晶胞的键络第33-34页
     ·键络上的电子分布第34-35页
     ·原子状态的确定第35-36页
     ·α-Al原子状态的描述第36页
   ·Ag晶胞的电子结构第36-38页
     ·Ag原子晶胞的模型第36-37页
     ·Ag晶胞价电子结构的计算结果与分析第37页
     ·Ag原子状态的描述第37-38页
   ·过饱和固溶体的价电子结构第38-40页
     ·过饱和固溶体价电子结构模型第38-39页
     ·过饱和固溶体价电子结构计算结果第39页
     ·过饱和固溶体价电子结构的分析第39-40页
   ·Al-Ag相空间的价电子结构第40-44页
     ·计算模型第40-41页
     ·Al-Ag晶胞的价电子结构计算第41-43页
     ·Al-Ag晶胞的价电子结构计算结果第43页
     ·Al-Ag合金中固溶体晶胞的价电子结构分析第43-44页
   ·Al-Ag合金中各主要析出相的价电子结构第44-50页
     ·G.P区晶胞的价电子结构第44-46页
     ·γ′(Ag_2Al)相和γ(Ag_2Al)相晶胞的价电子结构第46-50页
第四章 异相界面能和表面能的研究第50-59页
   ·概述第50-51页
     ·固-气界面第50页
     ·界面自由能第50-51页
   ·计算方法第51-52页
     ·EET理论和BLD方法第51页
     ·键能的计算第51-52页
     ·表面能的计算第52页
   ·GP区与基体的界面能第52-55页
     ·计算模型第52-54页
     ·计算结果第54页
     ·分析与讨论第54-55页
   ·Al-Ag合金γ相周围无沉淀带的微观机理解释第55-59页
     ·计算模型第55-56页
     ·计算结果第56-57页
     ·分析与讨论第57-59页
第五章 异相界面电子结构的计算及其对合金性能的影响第59-70页
   ·α-Al与γ′(Ag_2Al)界面的价电子结构第59-61页
     ·α-Al的(111)晶面第59-60页
     ·γ′(Ag_2Al)晶胞的(0 0 0 1)晶面第60-61页
     ·α-Al/γ′(Ag_2Al)相界面的电子结构第61页
   ·α-Al与γ(Ag_2Al)相界面的电子结构第61-62页
   ·相结构因子σ_N第62-63页
   ·相结构因子n_A第63-64页
   ·相结构因子F第64-66页
   ·相结构形成因子S第66-67页
   ·界面结合因子第67-68页
   ·结论第68-70页
第六章 总结第70-72页
参考文献第72-75页
附录一 杂化表的建造过程第75-76页
附录二 原子状态杂化表第76-78页
附录三 部分元素的屏蔽作用系数b值第78-79页
致谢第79-80页
攻读学位期间发表的学术论文第80页

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