第一章 绪论 | 第1-22页 |
·Al-Ag合金研究的进展与现状 | 第12-19页 |
·Al-Ag合金GP区的研究 | 第12-14页 |
·Al-Ag合金脱溶相的研究 | 第14-16页 |
·Al-Ag合金无沉淀带的研究 | 第16-18页 |
·合金界面的研究 | 第18-19页 |
·Al-Ag合金脱溶相的形成及长大 | 第19-20页 |
·Al-Ag合金的强化机理 | 第20-21页 |
·Al-Ag合金的固溶强化 | 第20页 |
·时效强化 | 第20-21页 |
·热处理强化 | 第21页 |
·本研究的目的及意义 | 第21-22页 |
第二章 固体与分子经验电子理论介绍 | 第22-33页 |
·引言 | 第22页 |
·基本概念 | 第22-24页 |
·EET理论的几个基本假设 | 第24-28页 |
·关于分子和固体中原子状态的假定 | 第24-25页 |
·关于不连续状态杂化的假定 | 第25-27页 |
·关于键距的假定 | 第27页 |
·关于等效价电子的假定 | 第27-28页 |
·键距差(BLD)法 | 第28-31页 |
·BLD法的基本思想 | 第28-29页 |
·BLD法 | 第29-31页 |
·程氏理论(TFD理论) | 第31-33页 |
第三章 Al-Ag合金相空间的电子结构计算及分析 | 第33-50页 |
·α-Al相空间的电子结构 | 第33-36页 |
·α-Al晶胞的键络 | 第33-34页 |
·键络上的电子分布 | 第34-35页 |
·原子状态的确定 | 第35-36页 |
·α-Al原子状态的描述 | 第36页 |
·Ag晶胞的电子结构 | 第36-38页 |
·Ag原子晶胞的模型 | 第36-37页 |
·Ag晶胞价电子结构的计算结果与分析 | 第37页 |
·Ag原子状态的描述 | 第37-38页 |
·过饱和固溶体的价电子结构 | 第38-40页 |
·过饱和固溶体价电子结构模型 | 第38-39页 |
·过饱和固溶体价电子结构计算结果 | 第39页 |
·过饱和固溶体价电子结构的分析 | 第39-40页 |
·Al-Ag相空间的价电子结构 | 第40-44页 |
·计算模型 | 第40-41页 |
·Al-Ag晶胞的价电子结构计算 | 第41-43页 |
·Al-Ag晶胞的价电子结构计算结果 | 第43页 |
·Al-Ag合金中固溶体晶胞的价电子结构分析 | 第43-44页 |
·Al-Ag合金中各主要析出相的价电子结构 | 第44-50页 |
·G.P区晶胞的价电子结构 | 第44-46页 |
·γ′(Ag_2Al)相和γ(Ag_2Al)相晶胞的价电子结构 | 第46-50页 |
第四章 异相界面能和表面能的研究 | 第50-59页 |
·概述 | 第50-51页 |
·固-气界面 | 第50页 |
·界面自由能 | 第50-51页 |
·计算方法 | 第51-52页 |
·EET理论和BLD方法 | 第51页 |
·键能的计算 | 第51-52页 |
·表面能的计算 | 第52页 |
·GP区与基体的界面能 | 第52-55页 |
·计算模型 | 第52-54页 |
·计算结果 | 第54页 |
·分析与讨论 | 第54-55页 |
·Al-Ag合金γ相周围无沉淀带的微观机理解释 | 第55-59页 |
·计算模型 | 第55-56页 |
·计算结果 | 第56-57页 |
·分析与讨论 | 第57-59页 |
第五章 异相界面电子结构的计算及其对合金性能的影响 | 第59-70页 |
·α-Al与γ′(Ag_2Al)界面的价电子结构 | 第59-61页 |
·α-Al的(111)晶面 | 第59-60页 |
·γ′(Ag_2Al)晶胞的(0 0 0 1)晶面 | 第60-61页 |
·α-Al/γ′(Ag_2Al)相界面的电子结构 | 第61页 |
·α-Al与γ(Ag_2Al)相界面的电子结构 | 第61-62页 |
·相结构因子σ_N | 第62-63页 |
·相结构因子n_A | 第63-64页 |
·相结构因子F | 第64-66页 |
·相结构形成因子S | 第66-67页 |
·界面结合因子 | 第67-68页 |
·结论 | 第68-70页 |
第六章 总结 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-75页 |
附录一 杂化表的建造过程 | 第75-76页 |
附录二 原子状态杂化表 | 第76-78页 |
附录三 部分元素的屏蔽作用系数b值 | 第78-79页 |
致谢 | 第79-80页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第80页 |