| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-24页 |
| ·多孔硅发光材料的概述 | 第10-11页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第11-13页 |
| ·电化学腐蚀法 | 第11-12页 |
| ·光化学腐蚀法 | 第12-13页 |
| ·水热腐蚀法 | 第13页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第13-17页 |
| ·耗尽层和场强化模型 | 第15页 |
| ·载流子扩散模型 | 第15-16页 |
| ·量子限制模型 | 第16-17页 |
| ·统一的模型 | 第17页 |
| ·多孔硅的光致发光机制 | 第17-19页 |
| ·量子限制效应模型 | 第18页 |
| ·硅本征表面态模型 | 第18页 |
| ·特殊发光物质模型 | 第18页 |
| ·量子限制效应-发光中心发光模型 | 第18-19页 |
| ·多孔硅发光性能的改进方法 | 第19-22页 |
| ·多孔硅表面钝化 | 第19-20页 |
| ·注入稀土离子 | 第20-21页 |
| ·多孔硅与有机物复合 | 第21-22页 |
| ·多孔硅的应用 | 第22-23页 |
| ·本论文的研究目的及内容 | 第23-24页 |
| 第二章 电化学腐蚀法制备p型多孔硅(p-PS)及其光致发光性能研究 | 第24-37页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·实验方法 | 第24-27页 |
| ·实验装置 | 第24-25页 |
| ·原料与仪器 | 第25页 |
| ·p-PS的制备 | 第25-27页 |
| ·测试方法与仪器 | 第27页 |
| ·实验结果与讨论 | 第27-36页 |
| ·多孔硅的3D荧光谱 | 第27-29页 |
| ·p-PS的室温可见区PL性能的影响因素 | 第29-35页 |
| ·电化学腐蚀法制备PS孔径特征 | 第35-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第三章 基于霍尔效应制备n型多孔硅(n-PS)及其光致发光性能研究 | 第37-49页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·实验方法 | 第37-40页 |
| ·实验原理与装置 | 第38-39页 |
| ·原料与仪器 | 第39页 |
| ·实验过程 | 第39-40页 |
| ·测试方法与仪器 | 第40页 |
| ·实验结果与讨论 | 第40-48页 |
| ·磁感应强度对PS的PL的影响 | 第40-42页 |
| ·施加外界磁场与PS表面化学键 | 第42-43页 |
| ·磁感应强度与PS的孔隙率 | 第43-46页 |
| ·磁感应强度对PS层形貌的影响 | 第46-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第四章 电化学低电流沉积Ag对多孔硅发光性能的影响 | 第49-62页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·实验 | 第49-51页 |
| ·实验装置 | 第49-50页 |
| ·实验方法 | 第50-51页 |
| ·测试方法与仪器 | 第51页 |
| ·实验结果与讨论 | 第51-61页 |
| ·电流密度与沉积Ag形式 | 第51-54页 |
| ·多孔硅的憎水表面与亲水性处理 | 第54-56页 |
| ·表面亲水性处理对沉积Ag均匀性的影响 | 第56-58页 |
| ·沉积Ag对PS的PL强度影响 | 第58-59页 |
| ·沉积Ag对PS的PL稳定性影响 | 第59-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-73页 |
| 攻读硕士期间的主要成绩 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
