| 目录 | 第1-4页 |
| 中文摘要 | 第4-6页 |
| 英文摘要 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·半导体中的光吸收响应 | 第9-10页 |
| ·表面光电压 | 第10-11页 |
| ·局域热效应 | 第11-12页 |
| ·本论文的章节安排 | 第12-13页 |
| 参考文献 | 第13-16页 |
| 第二章 实验方法 | 第16-34页 |
| ·简介 | 第16页 |
| ·飞秒激光器系统 | 第16-19页 |
| ·飞秒激光脉冲宽度的测量 | 第19-22页 |
| ·实验方法和装置 | 第22-29页 |
| ·-1 系统的硬件设备和软件的组成 | 第22-27页 |
| ·-2 表面光电压实验方法和装置 | 第27-28页 |
| ·-3 光致荧光实验方法和装置 | 第28-29页 |
| ·锁相放大器测试原理 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 Si肖特基结中激发强度相关的表面光电压研究 | 第34-67页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·Si肖特基结中的表面光电压 | 第34-44页 |
| ·-1 理论原理 | 第34-41页 |
| ·-2 测量结果 | 第41-44页 |
| ·弱光激发下的Si肖特基结中的表面光电压的技术应用 | 第44-56页 |
| ·-1 测量飞秒激光的特性 | 第44-48页 |
| ·-2 测量半导体的双光子吸收系数 | 第48-56页 |
| ·Si肖特基结中的表面光电压的激发强度相关性研究 | 第56-63页 |
| ·-1 简介 | 第56页 |
| ·-2 实验方法和实验结果 | 第56-60页 |
| ·-3 肖特基结中内建电势和丹倍效应的讨论 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第四章(In/Ga)As量子点中激发强度相关的光致荧光的研究 | 第67-85页 |
| ·简介 | 第67-69页 |
| ·自组织生长量子点结构中的浸润层 | 第69-70页 |
| ·样品介绍和实验方法 | 第70-72页 |
| ·实验结果和讨论 | 第72-82页 |
| ·本章小结 | 第82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 第五章 全文总结 | 第85-87页 |
| 附录 | 第87-89页 |
| 在读期间已发表的文章 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
