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Si(001)表面硅化铒纳米体系的生长及结构研究

摘要第1-6页
Abstract第6-8页
第一章 绪论第8-24页
 §1.1 课题研究背景第8-9页
 §1.2 硅化物研究概述第9-20页
 §1.3 论文内容简介第20-21页
 参考文献第21-24页
第二章 实验方法和表征手段第24-36页
 §2.1 扫描隧道显微镜工作原理第24-27页
 §2.2 实验仪器第27-29页
 §2.3 实验方法第29-32页
 §2.4 其它表征手段第32-35页
 参考文献第35-36页
第三章 硅化铒纳米结构生长及结构相研究第36-57页
 §3.1 引言第36页
 §3.2 实验第36-37页
 §3.3 生长条件对纳米结构形貌的影响第37-40页
  §3.3.1 退火温度的影响第37-38页
  §3.3.2 退火时间的影响第38页
  §3.3.3 铒覆盖度的影响第38-40页
 §3.4 硅化铒纳米体系晶格相研究第40-53页
  §3.4.1 硅化铒纳米线的STM和TEM结果及分析第40-46页
  §3.4.2 硅化铒纳米岛STM和TEM结果及分析第46-52页
  §3.4.3 700℃下退火所得纳米结构STM及TEM观测结果第52-53页
 §3.5 讨论与小结第53-55页
 参考文献第55-57页
第四章 硅化铒纳米体系演化研究第57-77页
 §4.1 引言第57页
 §4.2 实验第57页
 §4.3 实验结果与分析第57-71页
  §4.3.1 纳米线形貌演化的STM研究第57-63页
  §4.3.2 硅化铒纳米结构演化的TEM研究第63-71页
   §4.3.2.1 630℃退火20分钟第63-66页
   §4.3.2.2 630℃退火180分钟第66-70页
   §4.3.2.3 800℃退火10分钟第70-71页
 §4.4 讨论第71-75页
  §4.4.1 硅化铒纳米线形貌的衍变第71-73页
  §4.4.2 硅化铒纳米结构演化过程中的动理学因素第73-75页
 §4.5 小结第75-76页
 参考文献第76-77页
第五章 硅化铒纳米结构循环生长研究第77-89页
 §5.1 引言第77页
 §5.2 实验第77-78页
 §5.3 实验结果与分析第78-87页
  §5.3.1 硅化铒纳米岛的循环生长第78-85页
  §5.3.2 硅化铒纳米线的循环生长第85-87页
 §5.4 小结第87-88页
 参考文献第88-89页
攻读博士学位期间发表的学术论文第89-90页
致谢第90-91页

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