| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-16页 |
| §1-1 全球能源形势 | 第9-10页 |
| 1-1-1 能源危机 | 第9-10页 |
| 1-1-2 太阳能的优势 | 第10页 |
| §1-2 太阳电池的研究概况 | 第10-14页 |
| 1-2-1 单晶硅太阳电池 | 第10-11页 |
| 1-2-2 多晶硅太阳电池 | 第11页 |
| 1-2-3 非晶硅薄膜太阳电池 | 第11-12页 |
| 1-2-4 非晶硅/单晶硅异质结（HIT~(TM)）太阳电池 | 第12-13页 |
| 1-2-5 铜铟（镓）硒（CIS 或CIGS）薄膜太阳电池 | 第13页 |
| 1-2-6 碲化镉（CdTe）太阳电池 | 第13-14页 |
| §1-3 本论文的目的和研究内容 | 第14页 |
| §1-4 论文的组织 | 第14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 太阳能电池的原理 | 第16-25页 |
| §2-1 太阳电池的工作原理 | 第16-19页 |
| 2-1-1 光电转换过程 | 第16-17页 |
| 2-1-2 光生伏特效应 | 第17-18页 |
| 2-1-3 P-N 结的形成 | 第18-19页 |
| §2-2 异质结太阳电池的原理 | 第19-22页 |
| §2-3 太阳电池的基本参数 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-25页 |
| 第三章 非晶硅薄膜材料的测试与表征 | 第25-32页 |
| §3-1 Raman 散射光谱 | 第25-27页 |
| §3-2 透射谱 | 第27-28页 |
| §3-3 原子力显微镜 | 第28-29页 |
| §3-4 光电导衰减法测试硅片少子寿命 | 第29-30页 |
| §3-5 小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第四章 N 型衬底异质结太阳电池计算机模拟 | 第32-40页 |
| §4-1 AFORS-HET 2.2 模型软件介绍 | 第32-33页 |
| §4-2 物理模型 | 第33-34页 |
| §4-3 模拟分析与讨论 | 第34-39页 |
| 4-3-1 发射层厚度的影响 | 第34-35页 |
| 4-3-2 界面态的影响 | 第35-36页 |
| 4-3-3 本征层厚度的影响 | 第36-37页 |
| 4-3-4 双面HIT 太阳能电池 | 第37-39页 |
| §4-4 小结 | 第39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第五章 本征层对晶体硅钝化作用的研究 | 第40-57页 |
| §5-1 引言 | 第40-41页 |
| §5-2 RF-PECVD 法非晶硅薄膜材料的沉积原理 | 第41-44页 |
| §5-3 实验 | 第44-45页 |
| §5-4 结果与讨论 | 第45-55页 |
| 5-4-1 样品少子寿命测量 | 第45-46页 |
| 5-4-2 结果分析 | 第46-55页 |
| §5-5 小结 | 第55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第59页 |
