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SiO2薄膜和磷铝吸杂对太阳电池用硅片少子寿命的研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-10页
第一章 前言第10-20页
 §1-1 能源危机第10-15页
  1-1-1 全球及我国的能源形势第10-11页
  1-1-2 发展以太阳能为代表的绿色能源第11-12页
  1-1-3 太阳电池发展历史和现状第12-14页
  1-1-4 太阳电池的特点及前景第14-15页
 §1-2 太阳电池的研究概况第15-18页
  1-2-1 单晶硅太阳电池第16-17页
  1-2-2 多晶硅太阳电池第17-18页
 §1-3 本论文的主要研究内容第18页
 参考文献第18-20页
第二章 半导体光电性质理论第20-28页
 §2-1 光电转换过程第20-24页
  2-1-1 光的反射与折射第20-21页
  2-1-2 半导体中的光吸收第21页
  2-1-3 P-N 结的形成第21-22页
  2-1-4 P-N结光电效应第22-24页
 §2-2 半导体复合过程第24-27页
  2-2-1 直接复合第24页
  2-2-2 间接复合第24-25页
  2-2-3 俄歇复合第25-26页
  2-2-4 表面复合第26页
  2-2-5 通过复合中心复合第26-27页
 参考文献第27-28页
第三章 太阳电池工作原理及表面钝化的意义第28-41页
 §3-1 太阳电池工作原理第28-34页
  3-1-1 光生伏特效应第28-29页
  3-1-2 太阳电池的基本参数第29-33页
  3-1-3 影响电池效率的因素第33-34页
 §3-2 太阳电池表面钝化的意义第34-39页
  3-2-1 表面态的理论解释第35页
  3-2-2 表面复合的理论分析第35-36页
  3-2-3 少数载流子寿命的定义第36-38页
  3-2-4 减少表面复合对太阳电池性能的影响第38-39页
 参考文献第39-41页
第四章 SiO_2薄膜的表面钝化对单晶硅片少子寿命的影响第41-61页
 §4-1 不同热氧化法生长SiO_2 薄膜原理第41-45页
  4-1-1 热氧化机制第41页
  4-1-2 传统热氧化法(CTO)生长SiO_2 薄膜第41-42页
  4-1-3 掺氯热氧化法(TCA)生长SiO_2 薄膜第42-43页
  4-1-4 快速热氧化(RTO)生长SiO_2 薄膜第43-45页
 §4-2 SiO_2 薄膜钝化硅片少子寿命的测试原理第45-46页
  4-2-1 微波光电导衰减(μ-PCD)第45-46页
 §4-3 不同热氧化法生长SiO_2 薄膜表面钝化对硅片少子寿命的研究第46-58页
  4-3-1 CTO氧化程序第47-52页
  4-3-2 TCA氧化程序第52-56页
  4-3-3 RTO氧化程序第56-58页
 §4-4 小结第58-59页
 参考文献第59-61页
第五章 磷铝吸杂对多晶硅少子寿命的研究第61-69页
 §5-1 硅中杂质的类别及性质第61-62页
  5-1-1 重金属杂质第61-62页
  5-1-2 碱金属杂质第62页
  5-1-3 非金属杂质第62页
 §5-2 制备方法第62-63页
  5-2-1 热扩散法扩磷第62-63页
  5-2-2 真空蒸镀法蒸铝第63页
 §5-3 吸杂机理及作用第63-66页
  5-3-1 吸杂技术在太阳电池中的应用第63-64页
  5-3-2 吸杂原理第64-65页
  5-3-3 磷吸杂、铝吸杂以及磷铝联合吸杂的作用第65-66页
 §5-4 测试结果和分析第66-68页
  5-4-1 样品参数第66页
  5-4-2 太阳电池样品的制备第66页
  5-4-3 多晶硅片吸杂前后少子寿命的比较第66-67页
  5-4-4 经过吸杂后电池性能的测量第67-68页
 §5-5 小结第68页
 参考文献第68-69页
第六章 结论第69-70页
致谢第70-71页
攻读学位期间所取得的相关科研成果第71页

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