摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-10页 |
第一章 前言 | 第10-20页 |
§1-1 能源危机 | 第10-15页 |
1-1-1 全球及我国的能源形势 | 第10-11页 |
1-1-2 发展以太阳能为代表的绿色能源 | 第11-12页 |
1-1-3 太阳电池发展历史和现状 | 第12-14页 |
1-1-4 太阳电池的特点及前景 | 第14-15页 |
§1-2 太阳电池的研究概况 | 第15-18页 |
1-2-1 单晶硅太阳电池 | 第16-17页 |
1-2-2 多晶硅太阳电池 | 第17-18页 |
§1-3 本论文的主要研究内容 | 第18页 |
参考文献 | 第18-20页 |
第二章 半导体光电性质理论 | 第20-28页 |
§2-1 光电转换过程 | 第20-24页 |
2-1-1 光的反射与折射 | 第20-21页 |
2-1-2 半导体中的光吸收 | 第21页 |
2-1-3 P-N 结的形成 | 第21-22页 |
2-1-4 P-N结光电效应 | 第22-24页 |
§2-2 半导体复合过程 | 第24-27页 |
2-2-1 直接复合 | 第24页 |
2-2-2 间接复合 | 第24-25页 |
2-2-3 俄歇复合 | 第25-26页 |
2-2-4 表面复合 | 第26页 |
2-2-5 通过复合中心复合 | 第26-27页 |
参考文献 | 第27-28页 |
第三章 太阳电池工作原理及表面钝化的意义 | 第28-41页 |
§3-1 太阳电池工作原理 | 第28-34页 |
3-1-1 光生伏特效应 | 第28-29页 |
3-1-2 太阳电池的基本参数 | 第29-33页 |
3-1-3 影响电池效率的因素 | 第33-34页 |
§3-2 太阳电池表面钝化的意义 | 第34-39页 |
3-2-1 表面态的理论解释 | 第35页 |
3-2-2 表面复合的理论分析 | 第35-36页 |
3-2-3 少数载流子寿命的定义 | 第36-38页 |
3-2-4 减少表面复合对太阳电池性能的影响 | 第38-39页 |
参考文献 | 第39-41页 |
第四章 SiO_2薄膜的表面钝化对单晶硅片少子寿命的影响 | 第41-61页 |
§4-1 不同热氧化法生长SiO_2 薄膜原理 | 第41-45页 |
4-1-1 热氧化机制 | 第41页 |
4-1-2 传统热氧化法(CTO)生长SiO_2 薄膜 | 第41-42页 |
4-1-3 掺氯热氧化法(TCA)生长SiO_2 薄膜 | 第42-43页 |
4-1-4 快速热氧化(RTO)生长SiO_2 薄膜 | 第43-45页 |
§4-2 SiO_2 薄膜钝化硅片少子寿命的测试原理 | 第45-46页 |
4-2-1 微波光电导衰减(μ-PCD) | 第45-46页 |
§4-3 不同热氧化法生长SiO_2 薄膜表面钝化对硅片少子寿命的研究 | 第46-58页 |
4-3-1 CTO氧化程序 | 第47-52页 |
4-3-2 TCA氧化程序 | 第52-56页 |
4-3-3 RTO氧化程序 | 第56-58页 |
§4-4 小结 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-61页 |
第五章 磷铝吸杂对多晶硅少子寿命的研究 | 第61-69页 |
§5-1 硅中杂质的类别及性质 | 第61-62页 |
5-1-1 重金属杂质 | 第61-62页 |
5-1-2 碱金属杂质 | 第62页 |
5-1-3 非金属杂质 | 第62页 |
§5-2 制备方法 | 第62-63页 |
5-2-1 热扩散法扩磷 | 第62-63页 |
5-2-2 真空蒸镀法蒸铝 | 第63页 |
§5-3 吸杂机理及作用 | 第63-66页 |
5-3-1 吸杂技术在太阳电池中的应用 | 第63-64页 |
5-3-2 吸杂原理 | 第64-65页 |
5-3-3 磷吸杂、铝吸杂以及磷铝联合吸杂的作用 | 第65-66页 |
§5-4 测试结果和分析 | 第66-68页 |
5-4-1 样品参数 | 第66页 |
5-4-2 太阳电池样品的制备 | 第66页 |
5-4-3 多晶硅片吸杂前后少子寿命的比较 | 第66-67页 |
5-4-4 经过吸杂后电池性能的测量 | 第67-68页 |
§5-5 小结 | 第68页 |
参考文献 | 第68-69页 |
第六章 结论 | 第69-70页 |
致谢 | 第70-71页 |
攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第71页 |