低温磁控溅射ZAO薄膜工艺及性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| ·课题背景 | 第11-12页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第12-16页 |
| ·ZAO薄膜的国内外研究现状及其发展方向 | 第16-19页 |
| ·国外ZAO薄膜的研究状况 | 第16-17页 |
| ·国内ZAO薄膜的研究状况 | 第17-18页 |
| ·目前ZAO薄膜的发展方向 | 第18-19页 |
| ·透明导电薄膜的制备方法 | 第19-23页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第19页 |
| ·分子束外延法 | 第19-20页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第20页 |
| ·喷雾热解法 | 第20-21页 |
| ·化学气相沉积法 | 第21页 |
| ·溅射法 | 第21-23页 |
| ·ZAO薄膜的退火处理 | 第23页 |
| ·本文研究的意义及内容 | 第23-25页 |
| ·本文研究的意义 | 第23-24页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第24-25页 |
| 第2章 实验原理 | 第25-35页 |
| ·溅射的基本原理 | 第25-28页 |
| ·磁控溅射 | 第25-27页 |
| ·溅射的基本过程 | 第27-28页 |
| ·溅射沉积的分类 | 第28-31页 |
| ·直流溅射 | 第28-29页 |
| ·反应溅射 | 第29-30页 |
| ·偏压溅射 | 第30-31页 |
| ·薄膜生长机理 | 第31-34页 |
| ·新相形核阶段 | 第31-32页 |
| ·薄膜生长阶段 | 第32-33页 |
| ·薄膜成分的来源 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 实验设备及实验过程 | 第35-43页 |
| ·实验材料及仪器 | 第35-36页 |
| ·实验材料 | 第35页 |
| ·实验仪器 | 第35-36页 |
| ·直流反应磁控溅射制备ZAO薄膜的过程 | 第36-37页 |
| ·基片的清洗 | 第36页 |
| ·低温直流反应磁控溅射设备的操作过程 | 第36-37页 |
| ·封管处理 | 第37-38页 |
| ·真空退火处理过程 | 第38页 |
| ·薄膜的表征 | 第38-42页 |
| ·薄膜的X射线衍射(XRD)分析 | 第38-39页 |
| ·薄膜的表面分析(SEM) | 第39-40页 |
| ·薄膜的光学性能分析 | 第40页 |
| ·薄膜的电学性能分析 | 第40-41页 |
| ·薄膜厚度的测定 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 ZAO薄膜的测试结果与分析 | 第43-64页 |
| ·实验工艺参数的选定 | 第43页 |
| ·氧气分压对薄膜的影响 | 第43-49页 |
| ·氧气分压对薄膜结构的影响 | 第43-45页 |
| ·氧气分压对薄膜表面形貌的影响 | 第45-46页 |
| ·氧气分压对薄膜光学性能的影响 | 第46-47页 |
| ·氧气分压对薄膜电学性能的影响 | 第47-49页 |
| ·溅射功率薄膜的影响 | 第49-53页 |
| ·溅射功率对薄膜结构的影响 | 第49-50页 |
| ·溅射功率对薄膜表面形貌的影响 | 第50-51页 |
| ·溅射功率对薄膜光学性能的影响 | 第51-52页 |
| ·溅射功率对薄膜电学性能的影响 | 第52-53页 |
| ·退火温度对薄膜的影响 | 第53-58页 |
| ·退火温度对薄膜结构的影响 | 第53-54页 |
| ·退火温度对薄膜表面形貌的影响 | 第54-55页 |
| ·退火温度对薄膜光学性能的影响 | 第55-56页 |
| ·退火温度对薄膜电学性能的影响 | 第56-58页 |
| ·退火时间对薄膜的影响 | 第58-63页 |
| ·退火时间对薄膜结构的影响 | 第58-59页 |
| ·退火时间对薄膜表面形貌的影响 | 第59-60页 |
| ·退火时间对薄膜光学性能的影响 | 第60-62页 |
| ·退火时间对薄膜电学性能的影响 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
