| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·课题研究的现状及意义 | 第7-15页 |
| ·非线性晶体材料的要求 | 第7-8页 |
| ·非线性晶体材料的分类 | 第8-9页 |
| ·非线性晶体的发展概况 | 第9-12页 |
| ·中红外非线性晶体的应用及发展前景 | 第12-15页 |
| ·本论文的写作背景 | 第15-17页 |
| ·本论文研究的主要内容及意义 | 第17-18页 |
| 第二章 GaSe晶体的基本性质 | 第18-30页 |
| ·GaSe 晶体的背景介绍 | 第18页 |
| ·GaSe 晶体的生长方法 | 第18-20页 |
| ·GaSe 晶体的基本性质 | 第20-29页 |
| ·晶体结构 | 第20-22页 |
| ·基本参数 | 第22-23页 |
| ·热学参数 | 第23-25页 |
| ·光学参数 | 第25-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第三章 不同掺杂晶体GaSe:X 的性质 | 第30-41页 |
| ·掺杂杂质元素的原因 | 第30-32页 |
| ·改进GaSe 晶体性质的必要性 | 第30页 |
| ·GaSe 晶体的结构缺陷分析 | 第30-32页 |
| ·杂质含量的表示方法 | 第32-33页 |
| ·杂质掺杂晶体的发展现状及性能的改进 | 第33-38页 |
| ·杂质掺杂晶体的发展 | 第33-36页 |
| ·不同掺杂晶体性能比较 | 第36-38页 |
| ·实验样本的特性 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-41页 |
| 第四章 GaSe:X(X=In,S)晶体的光谱特性 | 第41-49页 |
| ·晶体透过率与吸收系数 | 第41-42页 |
| ·红外光学材料的透射波段 | 第42-43页 |
| ·主要实验仪器介绍 | 第43-45页 |
| ·晶体样本的透过率、吸收光谱特性测定 | 第45-48页 |
| ·晶体样本透射光谱的测定 | 第45-46页 |
| ·晶体样本的吸收系数 | 第46-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第五章 GaSe:X(X=In,S)晶体的频率转换特性 | 第49-64页 |
| ·GaSe 晶体的Sellmeier 方程 | 第49-52页 |
| ·主要实验仪器介绍及实验光路设计 | 第52-58页 |
| ·Er:Cr:YSGG激光器 | 第52-53页 |
| ·可调谐直流电纵向激励机械Q 调制CO_2 激光器 | 第53-54页 |
| ·实验中所用的探测器 | 第54-55页 |
| ·温控装置 | 第55-56页 |
| ·Er:Cr:YSGG激光器倍频光路设计 | 第56-57页 |
| ·CO_2激光器倍频光路设计 | 第57-58页 |
| ·室温下晶体倍频实验 | 第58-61页 |
| ·不同温度下晶体倍频实验 | 第61-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 论文总结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-76页 |
| 攻读硕士期间发表论文及获奖情况 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 中文摘要 | 第79-85页 |
| 英文摘要 | 第85-91页 |
