| 摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| ·纳米科技、纳米电子学和单电子学 | 第12-16页 |
| ·纳米科技 | 第12-14页 |
| ·纳米电子学 | 第14-15页 |
| ·单电子学 | 第15-16页 |
| ·单电子晶体管 | 第16-32页 |
| ·单电子晶体管概述 | 第16-19页 |
| ·单电子晶体管的工作原理 | 第19-21页 |
| ·单电子晶体管的理论模型 | 第21-26页 |
| ·单电子晶体管的制备技术 | 第26-32页 |
| ·本论文的研究意义和研究内容 | 第32-36页 |
| 第二章 基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管模型优化 | 第36-54页 |
| ·甚小尺寸库仑岛单电子晶体管的半经典模型优化 | 第36-42页 |
| ·金纳米粒子的电子能级 | 第36-38页 |
| ·电流模型 | 第38-41页 |
| ·模型验证与分析 | 第41-42页 |
| ·多岛单电子晶体管的半经典模型优化 | 第42-48页 |
| ·各库仑岛净电荷数估计 | 第42-44页 |
| ·漏源电流计算 | 第44-46页 |
| ·模型验证与分析 | 第46-48页 |
| ·多岛单电子晶体管半经典模型的经验优化 | 第48-52页 |
| ·经验优化 | 第48-49页 |
| ·模型验证与分析 | 第49-52页 |
| ·小结 | 第52-54页 |
| 第三章 二氧化硅有序介孔薄膜的制备与金纳米粒子组装 | 第54-82页 |
| ·二氧化硅有序介孔薄膜 | 第54-67页 |
| ·二氧化硅有序介孔薄膜概述 | 第54-55页 |
| ·二氧化硅有序介孔薄膜的结构 | 第55-57页 |
| ·二氧化硅有序介孔薄膜的合成方法 | 第57-62页 |
| ·二氧化硅有序介孔薄膜的合成机理 | 第62-65页 |
| ·二氧化硅有序介孔薄膜的功能化 | 第65-66页 |
| ·客体分子在二氧化硅有序介孔薄膜中的组装 | 第66-67页 |
| ·金纳米粒子阵列/二氧化硅有序介孔复合薄膜 | 第67-75页 |
| ·基片准备 | 第67-68页 |
| ·氨基功能化二氧化硅有序介孔薄膜的制备 | 第68-69页 |
| ·金纳米粒子在氨基功能化二氧化硅有序介孔薄膜中的自组装 | 第69-70页 |
| ·金纳米粒子阵列/二氧化硅有序介孔复合薄膜的表征与分析 | 第70-75页 |
| ·基于二氧化硅有序介孔薄膜的纳米槽阵列 | 第75-79页 |
| ·纳米槽阵列制备技术概述 | 第75-76页 |
| ·纳米槽阵列制备 | 第76-78页 |
| ·纳米槽阵列表征与分析 | 第78-79页 |
| ·小结 | 第79-82页 |
| 第四章 基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管制备与分析 | 第82-110页 |
| ·基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管的结构设计 | 第82-94页 |
| ·总体结构设计 | 第82-85页 |
| ·一维库仑岛链的隧穿结构 | 第85-87页 |
| ·三维六方结构库仑岛阵列的隧穿结构 | 第87-94页 |
| ·基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管的制备工艺 | 第94-99页 |
| ·库仑岛阵列的制备 | 第95页 |
| ·焊盘和微米级导线的制备 | 第95-97页 |
| ·纳米级导线的制备 | 第97-99页 |
| ·基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管的特性分析 | 第99-107页 |
| ·基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管的结构表征与分析 | 第99-100页 |
| ·基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管的电学特性测试与分析 | 第100-105页 |
| ·基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管的电学参数提取 | 第105-107页 |
| ·小结 | 第107-110页 |
| 第五章 结论与展望 | 第110-114页 |
| ·结论 | 第110-112页 |
| ·展望 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-128页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第128-130页 |
| 附录A 器件制备使用的主要试剂 | 第130-132页 |
| 附录B 器件分析制备、表征和测试仪器 | 第132页 |
