Ka波段GaAs PHEMT单片低噪声放大器研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·毫米波及其特点 | 第8-9页 |
| ·研究LNA 芯片的实际意义 | 第9页 |
| ·本研究课题的国内外现状 | 第9-11页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第11-12页 |
| 第二章 工艺介绍及电路设计方法 | 第12-21页 |
| ·GaAs MESFET 器件 | 第12-14页 |
| ·GaAs HEMT/PHEMT 器件 | 第14-16页 |
| ·实现途径 | 第16-17页 |
| ·设计方法 | 第17-18页 |
| ·MMIC 工艺简介 | 第18-21页 |
| 第三章 低噪声放大器的基本理论和技术指标 | 第21-29页 |
| ·二端口网络理论 | 第21-22页 |
| ·放大器的功率增益 | 第22-23页 |
| ·微波晶体管放大器的噪声特性 | 第23-25页 |
| ·放大器的稳定性 | 第25-26页 |
| ·低噪声放大器的其它技术指标 | 第26-29页 |
| 第四章 低噪声放大器的原理图设计 | 第29-49页 |
| ·电路设计方案 | 第29-30页 |
| ·平衡式放大器 | 第30-31页 |
| ·低噪声放大器的总体电路结构 | 第31-33页 |
| ·Lange Coupler 设计 | 第33-35页 |
| ·器件栅宽和直流偏置点选择 | 第35-36页 |
| ·直流偏置电路设计 | 第36-38页 |
| ·放大器漏压偏置电路设计 | 第37页 |
| ·自偏置电路设计 | 第37-38页 |
| ·输入共轭匹配和噪声匹配同时实现 | 第38-39页 |
| ·单级放大器的设计 | 第39-46页 |
| ·晶体管稳定性设计 | 第39-40页 |
| ·匹配电路设计 | 第40-41页 |
| ·电路仿真设计 | 第41-46页 |
| ·整体电路设计 | 第46-49页 |
| 第五章 低噪声放大器的版图设计 | 第49-56页 |
| ·电磁仿真 | 第49-53页 |
| ·电路布线 | 第53-54页 |
| ·最终版图 | 第54-56页 |
| 第六章 测试和结果分析 | 第56-62页 |
| ·增益、增益平坦度和驻波的测试 | 第57-59页 |
| ·最大输出功率的测试 | 第59页 |
| ·噪声系数测量 | 第59-60页 |
| ·测试结果分析与展望 | 第60-62页 |
| 第七章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻硕期间的研究成果 | 第67-68页 |
