摘要 | 第3-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-26页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 锂离子电池概述 | 第11-14页 |
1.2.1 锂离子电池发展简介 | 第11-12页 |
1.2.2 锂离子电池工作原理 | 第12-13页 |
1.2.3 锂离子电池结构组成 | 第13-14页 |
1.3 锂离子电池负极材料 | 第14-17页 |
1.3.1 碳负极材料 | 第15页 |
1.3.2 金属负极材料 | 第15-16页 |
1.3.3 过渡金属氧化物负极材料 | 第16-17页 |
1.4 SiO_2负极材料 | 第17-24页 |
1.4.1 SiO_2作锂电负极材料的基本原理 | 第17-18页 |
1.4.2 SiO_2负极材料的纳米化 | 第18-21页 |
1.4.3 SiO_2负极材料的复合化 | 第21-24页 |
1.5 本研究工作的内容及意义 | 第24-26页 |
第2章 实验材料、仪器设备及分析测试方法 | 第26-31页 |
2.1 实验材料及设备 | 第26-28页 |
2.1.1 实验材料 | 第26-27页 |
2.1.2 仪器设备 | 第27-28页 |
2.2 材料表征方法 | 第28-29页 |
2.3 电化学性能测试 | 第29-31页 |
2.3.1 电极材料制备与半电池组装 | 第29页 |
2.3.2 电化学性能测试方法 | 第29-31页 |
第3章 碳包覆SiO_2复合材料的制备及电化学性能研究 | 第31-57页 |
3.1 引言 | 第31页 |
3.2 SiO_2/C复合材料的制备及工艺参数优化 | 第31-35页 |
3.2.1 SiO_2/C复合材料的制备 | 第31-32页 |
3.2.2 SiO_2/C复合材料的工艺参数优化 | 第32-35页 |
3.3 煅烧温度对SiO_2/C复合材料的影响 | 第35-46页 |
3.3.1 SEM、TEM表征 | 第35-38页 |
3.3.2 XRD分析 | 第38-39页 |
3.3.3 Raman分析 | 第39-40页 |
3.3.4 BET分析 | 第40-42页 |
3.3.5 FTIR分析 | 第42-43页 |
3.3.6 不同温度热处理对SiO_2/C复合材料电化学性能的影响 | 第43-46页 |
3.4 CNTs修饰SiO_2/C复合材料的制备及电化学性能 | 第46-55页 |
3.4.1 SiO_2/C/CNTs复合材料的制备 | 第46-48页 |
3.4.2 SEM、TEM表征 | 第48-49页 |
3.4.3 XRD、FTIR分析 | 第49页 |
3.4.4 Raman、TG和XPS分析 | 第49-51页 |
3.4.5 BET分析 | 第51-52页 |
3.4.6 SiO_2/C/CNTs复合材料的电化学性能 | 第52-55页 |
3.5 本章小结 | 第55-57页 |
第4章 纳米SiO_2球@C复合材料的制备及电化学性能改性 | 第57-74页 |
4.1 引言 | 第57页 |
4.2 SiO_2@C复合材料的制备及工艺参数优化 | 第57-60页 |
4.2.1 SiO_2@C复合材料的制备 | 第57-58页 |
4.2.2 SiO_2@C复合材料的制备工艺参数优化 | 第58-60页 |
4.3 SiO_2@C复合材料的表征及电化学性能 | 第60-63页 |
4.3.1 XRD、FTIR及Raman表征 | 第60-61页 |
4.3.2 SiO_2@C复合材料的电化学性能 | 第61-63页 |
4.4 负载金属Co对SiO_2@C复合材料电化学性能的影响 | 第63-68页 |
4.4.1 SiO_2@C@Co纳米复合材料的制备 | 第63-64页 |
4.4.2 SEM、TEM表征 | 第64-65页 |
4.4.3 XRD、FTIR及Raman表征 | 第65-66页 |
4.4.4 SiO_2@C@Co纳米复合材料的电化学性能 | 第66-68页 |
4.5 类Yolk-Shell的SiO_2@void@C纳米复合材料制备及电化学性能 | 第68-73页 |
4.5.1 SiO_2@void@C纳米复合材料的制备 | 第68页 |
4.5.2 SEM、TEM表征 | 第68-69页 |
4.5.3 XRD、FTIR及Raman分析 | 第69-70页 |
4.5.4 SiO_2@void@C纳米复合材料的电化学性能 | 第70-73页 |
4.6 本章小结 | 第73-74页 |
第5章 全文总结 | 第74-76页 |
5.1 全文结论 | 第74-75页 |
5.2 下一步工作建议 | 第75-76页 |
参考文献 | 第76-84页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第84-85页 |
致谢 | 第85页 |