| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 热电材料 | 第11-22页 |
| 1.2.1 电学性质的调控 | 第14-18页 |
| 1.2.2 降低晶格热导率 | 第18-22页 |
| 1.3 拓扑节点线半金属 | 第22-31页 |
| 1.3.1 中心和时间反演对称性保护的节点线半金属 | 第24-26页 |
| 1.3.2 镜面反射保护的节点线半金属 | 第26-27页 |
| 1.3.3 Non-symmorphic对称性保护的节点线半金属 | 第27-31页 |
| 第2章 实验技术 | 第31-51页 |
| 2.1 角分辨光电子能谱 | 第31-39页 |
| 2.1.1 三步模型 | 第31-34页 |
| 2.1.2 光学激发的跃迁几率 | 第34-35页 |
| 2.1.3 单粒子谱函数 | 第35-36页 |
| 2.1.4 电子能量分析器 | 第36-38页 |
| 2.1.5 光源 | 第38页 |
| 2.1.6 样品准备与实验操作 | 第38-39页 |
| 2.2 中子弹性及非弹性散射 | 第39-50页 |
| 2.2.1 中子源的介绍 | 第40-42页 |
| 2.2.2 散射截面 | 第42-44页 |
| 2.2.3 原子核散射 | 第44-46页 |
| 2.2.4 非弹性中子散射 | 第46-48页 |
| 2.2.5 中子衍射 | 第48-49页 |
| 2.2.6 中子全散射 | 第49-50页 |
| 2.3 拉曼光谱 | 第50-51页 |
| 第3章 Na掺杂SnSe的电子结构与声子谱研究 | 第51-63页 |
| 3.1 引言 | 第51页 |
| 3.2 单晶的制备以及实验方法 | 第51-52页 |
| 3.3 Na掺杂SnSe的晶格结构 | 第52-53页 |
| 3.4 Na掺杂SnSe的电子结构 | 第53-58页 |
| 3.5 Na掺杂SnSe的声子结构 | 第58-61页 |
| 3.6 小结 | 第61-63页 |
| 第4章 掺杂SnSe系统的的非谐性的研究 | 第63-75页 |
| 4.1 引言 | 第63页 |
| 4.2 单晶的制备以及实验方法 | 第63-64页 |
| 4.3 晶格结构和温度因子 | 第64-66页 |
| 4.4 中子全散射实验 | 第66-69页 |
| 4.5 晶格振动 | 第69-74页 |
| 4.6 小结 | 第74-75页 |
| 第5章 表面气体吸附诱导节点半金属ZrSiSe中电子能带的非刚性位移 | 第75-83页 |
| 5.1 引言 | 第75-76页 |
| 5.2 单晶的制备以及实验方法 | 第76-77页 |
| 5.3 母体ZrSiSe的实验结果 | 第77-79页 |
| 5.4 表面气体吸附ZrSiSe的实验结果 | 第79-81页 |
| 5.5 小结 | 第81-83页 |
| 第6章 总结与展望 | 第83-85页 |
| 6.1 总结 | 第83-84页 |
| 6.2 展望 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第97页 |
