| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-43页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 高压科学与技术 | 第9-21页 |
| 1.2.1 压力的产生与分类 | 第9-10页 |
| 1.2.2 高压物理学发展概况 | 第10-11页 |
| 1.2.3 压力对物质的调控 | 第11-12页 |
| 1.2.4 静高压装置简介 | 第12-17页 |
| 1.2.5 压力的测量 | 第17-20页 |
| 1.2.6 高压原位测量 | 第20-21页 |
| 1.3 高压技术在物质探索中的应用 | 第21-23页 |
| 1.3.1 高压技术在金属化研究中的应用 | 第21-23页 |
| 1.3.2 高压技术在超导研究中的应用 | 第23页 |
| 1.4 量子功能材料概述 | 第23-41页 |
| 1.4.1 材料中的两种自旋轨道耦合作用 | 第24-36页 |
| 1.4.2 材料中的磁阻效应 | 第36-41页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第41-43页 |
| 第二章 实验设备和实验方法 | 第43-61页 |
| 2.1 引言 | 第43页 |
| 2.2 物性测试设备 | 第43-47页 |
| 2.2.1 多用途测量系统 | 第43-44页 |
| 2.2.2 超导量子磁强计 | 第44-45页 |
| 2.2.3 拉曼光谱测量系统 | 第45页 |
| 2.2.4 金刚石压砧 | 第45-47页 |
| 2.3 高压同步辐射X射线衍射 | 第47-52页 |
| 2.3.1 X射线粉末衍射技术 | 第47-49页 |
| 2.3.2 物相定性分析 | 第49页 |
| 2.3.3 Rietveld方法结构精修 | 第49-50页 |
| 2.3.4 同步辐射光源简介 | 第50-52页 |
| 2.4 高压中子散射和衍射实验 | 第52-53页 |
| 2.5 高压光谱学 | 第53-55页 |
| 2.5.1 高压拉曼光谱测试 | 第53-55页 |
| 2.5.2 高压红外光谱测试 | 第55页 |
| 2.6 高压在位电阻测量 | 第55-58页 |
| 2.7 高压磁性测量 | 第58-61页 |
| 第三章 Rashba型化合物BiTeI的高压物性研究 | 第61-77页 |
| 3.1 引言 | 第61-65页 |
| 3.2 样品的制备与表征 | 第65-66页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第66-72页 |
| 3.3.1 BiTeI单晶高压磁电性质研究 | 第66-70页 |
| 3.3.2 BiTeI单晶高压拉曼光谱研究 | 第70页 |
| 3.3.3 BiTeI高压结构演变 | 第70-72页 |
| 3.4 分析与讨论 | 第72-76页 |
| 3.5 小结 | 第76-77页 |
| 第四章 Rashba型化合物BiTeCl与BiTeBr的高压物性研究 | 第77-95页 |
| 4.1 引言 | 第77-78页 |
| 4.2 Rashba型化合物BiTeCl的高压物性研究 | 第78-87页 |
| 4.2.1 BiTeCl样品制备与表征 | 第78页 |
| 4.2.2 BiTeCl单晶高压磁电性质研究 | 第78-81页 |
| 4.2.3 BiTeCl高压拉曼光谱研究 | 第81-82页 |
| 4.2.4 BiTeCl高压结构演变 | 第82-83页 |
| 4.2.5 分析与讨论 | 第83-87页 |
| 4.3 Rashba型化合物BiTeBr的高压物性研究 | 第87-93页 |
| 4.3.1 BiTeBr样品的制备与表征 | 第87页 |
| 4.3.2 BiTeBr单晶高压磁电性质研究 | 第87-89页 |
| 4.3.3 BiTeBr高压结构演变 | 第89-91页 |
| 4.3.4 BiTeBr高压拉曼光谱研究 | 第91-92页 |
| 4.3.5 分析与讨论 | 第92-93页 |
| 4.4 小结 | 第93-95页 |
| 第五章 LaSb的高压物性研究 | 第95-107页 |
| 5.1 引言 | 第95-96页 |
| 5.2 样品制备与表征 | 第96-97页 |
| 5.3 LaSb高压拉曼光谱研究 | 第97-98页 |
| 5.4 LaSb高压结构演变 | 第98-99页 |
| 5.5 LaSb高压磁电性质研究 | 第99-105页 |
| 5.6 小结 | 第105-107页 |
| 第六章 全文总结 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-125页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第125-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
