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基于NVMe接口的三维闪存固态盘固件研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第8-15页
    1.1 研究背景第8-10页
    1.2 国内外研究现状第10-13页
    1.3 本文研究内容第13-15页
2 三维闪存存储特性分析第15-30页
    2.1 闪存存储原理第15-18页
    2.2 编程干扰与保留错误第18-21页
    2.3 镁光芯片的实测分析第21-27页
    2.4 干扰模型与补偿模型第27-28页
    2.5 本章小结第28-30页
3 顺序交错混合闪存转换层设计与实现第30-51页
    3.1 系统架构设计第30-32页
    3.2 交错编程优化第32-40页
    3.3 顺序编程策略第40-42页
    3.4 冷热数据处理第42-47页
    3.5 垃圾回收策略第47-49页
    3.6 本章小结第49-51页
4 NVMe固件设计与实现第51-62页
    4.1 NVMe通讯流程第51-52页
    4.2 NVMe固件设计第52-54页
    4.3 NVMe固件实现第54-60页
    4.4 NVMe多流写第60-61页
    4.5 本章小结第61-62页
5 测试与结果分析第62-77页
    5.1 NVMe固件功能性测试第62-66页
    5.2 SIH-FTL测试方案第66-70页
    5.3 SIH-FTL测试结果第70-76页
    5.4 本章小结第76-77页
6 总结与展望第77-79页
    6.1 本文总结第77-78页
    6.2 未来展望第78-79页
致谢第79-80页
参考文献第80-85页
附录 攻读硕士学位期间发表的论文和专利第85页

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