| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第11-21页 |
| 第一节 Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳能电池的发展历程及研究进展 | 第11-15页 |
| 第二节 电沉积法制备CIGSe薄膜太阳电池研究进展 | 第15-17页 |
| 第三节 分步电沉积制备CIGSe薄膜太阳电池存在的主要问题 | 第17-20页 |
| 第四节 本论文研究内容及论文结构 | 第20-21页 |
| 第二章 电沉积法制备CIGSe薄膜基本原理和方法 | 第21-32页 |
| 第一节 脉冲电沉积Cu/In/Ga金属预制层基本原理 | 第21-27页 |
| 2.1.1 电沉积原理 | 第21-24页 |
| 2.1.2 脉冲电沉积基本原理 | 第24-25页 |
| 2.1.3 Cu/In/Ga金属预制层制备方法 | 第25-26页 |
| 2.1.4 电流效率计算 | 第26-27页 |
| 第二节 CIGSe薄膜及太阳电池制备方法 | 第27-30页 |
| 2.2.1 CIGSe吸收层硒化方法 | 第27页 |
| 2.2.2 CIGSe吸收层硫化方法 | 第27-28页 |
| 2.2.3 CIGSe薄膜太阳电池制备方法 | 第28-30页 |
| 第三节 CIGSe薄膜材料和器件测试方法 | 第30-32页 |
| 2.3.1 CIGSe薄膜材料测试方法 | 第30-31页 |
| 2.3.2 CIGSe器件测试方法 | 第31-32页 |
| 第三章 脉冲电沉积制备Cu/In/Ga金属预制层的研究 | 第32-70页 |
| 第一节 Mo衬底上脉冲电沉积Cu的研究 | 第32-44页 |
| 3.1.1 Mo衬底对Cu薄膜沉积的影响 | 第33-35页 |
| 3.1.2 脉冲电流密度对Cu层沉积的影响 | 第35-37页 |
| 3.1.3 脉冲频率对Cu层沉积的影响 | 第37-40页 |
| 3.1.4 不同形貌Cu薄膜对CIGSe薄膜及器件的影响 | 第40-44页 |
| 第二节 Mo/Cu衬底上脉冲电沉积In的研究 | 第44-54页 |
| 3.2.1 脉冲电流密度对In层沉积的影响 | 第47-50页 |
| 3.2.2 脉冲频率对In层沉积的影响 | 第50-52页 |
| 3.2.3 不同形貌In对CIGSe薄膜及器件的影响 | 第52-54页 |
| 第三节 Mo/Cu/In衬底上脉冲电沉积Ga的研究 | 第54-68页 |
| 3.3.1 Cu/In衬底对Ga沉积的影响 | 第54-58页 |
| 3.3.2 脉冲电沉积Ga的研究 | 第58-60页 |
| 3.3.3 脉冲电流密度、脉冲频率和占空比对Ga沉积的影响 | 第60-65页 |
| 3.3.4 不同形貌Ga对CIGSe薄膜及器件的影响 | 第65-68页 |
| 第四节 本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 电沉积Cu/In/Ga金属预制层三步法硒化的研究 | 第70-108页 |
| 第一节 电沉积Cu/In/Ga金属预制层硒化的研究 | 第70-75页 |
| 4.1.1 Cu/In/Ga金属预制层合金化处理 | 第70-71页 |
| 4.1.2 Cu/In/Ga金属预制层硒化处理 | 第71-75页 |
| 第二节 金属预制层三步法硒化制备单相CIGSe薄膜 | 第75-90页 |
| 4.2.1 第一步低温衬底温度选择依据 | 第75-78页 |
| 4.2.2 第一步低温硒化对Ga扩散的影响 | 第78-88页 |
| 4.2.3 第二步高温无Se热处理对Ga扩散的影响 | 第88-90页 |
| 第三节 薄膜Cu含量对Ga扩散的影响 | 第90-95页 |
| 第四节 三步法硒化过程中MoSe_2形成分析 | 第95-103页 |
| 4.4.1 Ga扩散对MoSe_2形成的影响 | 第97-98页 |
| 4.4.2 薄膜Cu含量对MoSe_2形成的影响 | 第98-103页 |
| 第五节 三步法硒化制备CIGSe薄膜的优化 | 第103-106页 |
| 第六节 本章小结 | 第106-108页 |
| 第五章 Cu(In,Ga)Se_2薄膜表面硫化研究 | 第108-124页 |
| 第一节 恒温硫化对Cu(In,Ga)Se_2薄膜的影响 | 第108-113页 |
| 第二节 脉冲式快速热处理表面硫化的研究 | 第113-122页 |
| 5.2.1 脉冲式快速热处理表面硫化工艺可行性分析 | 第113-115页 |
| 5.2.2 脉冲持续时间对CIGSSe薄膜的影响 | 第115-117页 |
| 5.2.3 快速热处理周期数对CIGSSe薄膜的影响 | 第117-121页 |
| 5.2.4 Cu(In,Ga)(S,Se)2薄膜电池的优化 | 第121-122页 |
| 第三节 本章小结 | 第122-124页 |
| 第六章 结论与展望 | 第124-129页 |
| 第一节 论文总结 | 第124-127页 |
| 6.1.1 脉冲电沉积制备Cu/In/Ga金属预制层的研究 | 第124-125页 |
| 6.1.2 电沉积Cu/In/Ga金属预制层三步法硒化的研究 | 第125-126页 |
| 6.1.3 Cu(In,Ga)Se_2薄膜表面硫化研究 | 第126-127页 |
| 第二节 展望 | 第127-129页 |
| 参考文献 | 第129-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第141-142页 |
