940nm大功率半导体激光器的研究与制备
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 半导体激光器研究史 | 第9-10页 |
| 1.2 940nm大功率半导体激光器的研究意义 | 第10-11页 |
| 1.3 940nm半导体激光器的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 本论文研究内容 | 第12-15页 |
| 第2章 半导体激光器的基础原理 | 第15-23页 |
| 2.1 半导体激光器的基本工作原理 | 第15页 |
| 2.2 半导体激光器激射三要素 | 第15-17页 |
| 2.2.1 粒子数反转 | 第15-16页 |
| 2.2.2 谐振腔 | 第16页 |
| 2.2.3 光增益与损耗 | 第16-17页 |
| 2.3 半导体激光器的主要特征参数 | 第17-21页 |
| 2.3.1 电流的侧向扩展现象 | 第17-18页 |
| 2.3.2 半导体激光器工作效率的参数 | 第18-19页 |
| 2.3.3 半导体激光器的主要电学特性参数 | 第19-20页 |
| 2.3.4 半导体激光器的主要光学特性参数 | 第20-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-23页 |
| 第3章 940nm半导体激光器的外延结构设计 | 第23-29页 |
| 3.1 外延技术及MOCVD简介 | 第23-24页 |
| 3.2 外延片质量测试 | 第24-25页 |
| 3.3 940nm半导体激光器外延结构设计 | 第25页 |
| 3.4 模拟外延结构的近场分布 | 第25-27页 |
| 3.5 拟合内量子效率和内部损耗 | 第27页 |
| 3.6 本章小结 | 第27-29页 |
| 第4章 半导体激光器的制备与工艺优化 | 第29-43页 |
| 4.1 工艺优化设计 | 第29页 |
| 4.2 芯片制备 | 第29-30页 |
| 4.3 后工艺及其优化 | 第30-37页 |
| 4.3.1 清洗 | 第30-31页 |
| 4.3.2 光刻 | 第31-32页 |
| 4.3.3 腐蚀 | 第32-33页 |
| 4.3.4 PECVD生长SiO_2 | 第33页 |
| 4.3.5 溅射 | 第33-34页 |
| 4.3.6 磨片 | 第34页 |
| 4.3.7 快速退火 | 第34页 |
| 4.3.8 热沉、陶瓷片 | 第34-35页 |
| 4.3.9 脊形结构优化 | 第35页 |
| 4.3.10 管芯的筛选 | 第35-36页 |
| 4.3.11 优化焊接时对腔面的污染 | 第36-37页 |
| 4.4 版图设计 | 第37-42页 |
| 4.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第5章 940nm半导体激光器性能的研究 | 第43-49页 |
| 5.1 管芯正倒装对比实验 | 第43页 |
| 5.2 TO3底座涂黑对比实验 | 第43-44页 |
| 5.3 腔面镀膜 | 第44-45页 |
| 5.4 不同结构的器件实验结果分析 | 第45-48页 |
| 5.4.1 有无双沟结构的数据对比 | 第45-46页 |
| 5.4.2 不同腔长的器件数据对比 | 第46-47页 |
| 5.4.3 不同双沟间距的结构数据对比 | 第47页 |
| 5.4.4 不同双沟深度的结构数据对比 | 第47-48页 |
| 5.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
