| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| abstract | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第15-27页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 光电阴极的发展、应用及分类 | 第16-22页 |
| 1.2.1 光电阴极的发展 | 第16-20页 |
| 1.2.2 光电阴极的应用 | 第20-21页 |
| 1.2.3 光电阴极的分类 | 第21-22页 |
| 1.3 NEA AlGaN光电阴极的发展和应用 | 第22-25页 |
| 1.3.1 NEA AlGaN光电阴极的发展 | 第22-23页 |
| 1.3.2 NEA AlGaN光电阴极的应用 | 第23-25页 |
| 1.4 本文研究背景和研究意义 | 第25-26页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第26-27页 |
| 2 基于密度泛函理论（ DFT）的第一性原理计算 | 第27-38页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 计算理论基础 | 第27-35页 |
| 2.2.1 密度泛函理论 | 第27-30页 |
| 2.2.1.1 Honhenberg-Kohn定理 | 第28页 |
| 2.2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第28-29页 |
| 2.2.1.3 交换相关能量泛函 | 第29-30页 |
| 2.2.2 单电子近似理论 | 第30-34页 |
| 2.2.2.1 绝热近似 | 第31-32页 |
| 2.2.2.2 平均场近似 | 第32-34页 |
| 2.2.2.3 周期场近似 | 第34页 |
| 2.2.3 平面波赝势法 | 第34-35页 |
| 2.3 计算方法 | 第35-37页 |
| 2.3.1 计算软件Materials Studio | 第35-37页 |
| 2.3.2 数据处理软件Origin | 第37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 3 Al_xGa_(1-x)N模型及相关特性的研究 | 第38-66页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 GaN模型的建立及特性研究 | 第38-45页 |
| 3.2.1 GaN理论模型 | 第38-39页 |
| 3.2.2 GaN电子结构特性 | 第39-41页 |
| 3.2.3 GaN光学特性 | 第41-45页 |
| 3.3 Al_(0.25)Ga_(0.75)N模型的建立及特性研究 | 第45-50页 |
| 3.3.1 Al_(0.25)Ga_(0.75)N理论模型 | 第45-46页 |
| 3.3.2 Al_(0.25)Ga_(0.75)N电子结构特性 | 第46-48页 |
| 3.3.3 Al_(0.25)Ga_(0.75)N光学特性 | 第48-50页 |
| 3.4 Al_(0.5)Ga_(0.5)N模型的建立及特性研究 | 第50-55页 |
| 3.4.1 Al_(0.5)Ga_(0.5)N理论模型 | 第50-51页 |
| 3.4.2 Al_(0.5)Ga_(0.5)N电子结构特性 | 第51-53页 |
| 3.4.3 Al_(0.5)Ga_(0.5)N光学特性 | 第53-55页 |
| 3.5 Al_(0.75)Ga_(0.25)N模型的建立及特性研究 | 第55-60页 |
| 3.5.1 Al_(0.75)Ga_(0.25)N理论模型 | 第55-56页 |
| 3.5.2 Al_(0.75)Ga_(0.25)N电子结构特性 | 第56-58页 |
| 3.5.3 Al_(0.75)Ga_(0.25)N光学特性 | 第58-60页 |
| 3.6 AlN模型的建立及特性研究 | 第60-64页 |
| 3.6.1 AlN理论模型 | 第60页 |
| 3.6.2 AlN电子结构特性 | 第60-62页 |
| 3.6.3 AlN光学特性 | 第62-64页 |
| 3.7 不同Al组分Al_xGa_(1-x)N的光电特性分析研究 | 第64-65页 |
| 3.8 本章小结 | 第65-66页 |
| 4 Mg掺杂对Al_(0.25)Ga_(0.75)N光电特性的影响研究 | 第66-73页 |
| 4.1 引言 | 第66页 |
| 4.2 Mg掺杂理论模型 | 第66-67页 |
| 4.3 Mg掺杂Al_(0.25)Ga_(0.75)N的电子结构特性 | 第67-69页 |
| 4.4 Mg掺杂Al_(0.25)Ga_(0.75)N的光学特性 | 第69-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-73页 |
| 5 总结与展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 作者简历 | 第81-82页 |
