32Mbits相变存储阵列工艺研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 相变存储器简介 | 第10-11页 |
| 1.3 课题来源 | 第11-12页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第12-14页 |
| 2 32Mbits相变存储阵列设计 | 第14-20页 |
| 2.1 存储单元结构设计 | 第14-16页 |
| 2.2 存储阵列设计 | 第16-17页 |
| 2.3 光刻掩膜版设计 | 第17-19页 |
| 2.4 本章小结 | 第19-20页 |
| 3 32Mbits相变存储阵列的制备与工艺研究 | 第20-47页 |
| 3.1 集成电路制造工艺简介 | 第20-27页 |
| 3.2 AZ5214胶 | 第27-28页 |
| 3.3 光刻工艺参数研究 | 第28-36页 |
| 3.4 32Mbits相变存储阵列的制备 | 第36-43页 |
| 3.5 样品制备中遇到的问题与解决办法 | 第43-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-47页 |
| 4 32Mbits相变存储阵列测试分析 | 第47-51页 |
| 4.1 32Mbits相变存储阵列测试系统 | 第47页 |
| 4.2 32Mbits相变存储阵列测试方法 | 第47页 |
| 4.3 32Mbits相变存储阵列测试结果 | 第47-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 5 总结与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 内容总结 | 第51-52页 |
| 5.2 后续研究展望 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
