| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 引言 | 第12-16页 |
| 1.2 常用陶瓷基板材料与性能 | 第16-17页 |
| 1.3 氧化铝陶瓷表面金属化的方法 | 第17-20页 |
| 1.3.1 氧化铝陶瓷的理化性质 | 第17-18页 |
| 1.3.2 氧化铝陶瓷的分类及制备方法 | 第18-19页 |
| 1.3.3 氧化铝陶瓷金属化的方法 | 第19-20页 |
| 1.4 氧化铝陶瓷直接敷铜法概述 | 第20-22页 |
| 1.4.1 直接敷铜法的机理 | 第20-22页 |
| 1.4.2 直接敷铜法研究现状 | 第22页 |
| 1.5 铜氧化过程的研究现状 | 第22-23页 |
| 1.6 本课题的提出和研究内容 | 第23-26页 |
| 1.6.1 本文的研究目的 | 第23页 |
| 1.6.2 本文研究内容 | 第23-26页 |
| 第二章 Cu/Al_2O_3基板制备方法 | 第26-32页 |
| 2.1 实验材料和实验设备 | 第26-27页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第26页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第26-27页 |
| 2.2 实验过程 | 第27-29页 |
| 2.2.1 铜箔预氧化工艺 | 第27-28页 |
| 2.2.2 Cu/Al_2O_3敷接工艺 | 第28-29页 |
| 2.3 实验表征方法 | 第29-32页 |
| 2.3.1 Cu/Al_2O_3复合基板的Raman测试 | 第29页 |
| 2.3.2 Cu/Al_2O_3复合基板的微观形貌观察 | 第29-30页 |
| 2.3.3 Cu/Al_2O_3复合基板的力学性能测试 | 第30-32页 |
| 第三章 铜箔预氧化研究 | 第32-52页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 预氧化工艺对铜箔物相的影响 | 第33-38页 |
| 3.2.1 预氧化铜箔表面氧化膜厚度的测试与表征 | 第33-35页 |
| 3.2.2 预氧化温度对铜箔表面氧化膜物相组成的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.3 氧分压对铜箔表面氧化膜物相组成的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.4 保温时间对铜箔表面氧化膜物相组成的影响 | 第37-38页 |
| 3.3 预氧化工艺对氧化膜厚度的影响 | 第38-41页 |
| 3.3.1 预氧化温度对铜箔表面氧化膜厚度的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.2 氧分压对铜箔表面氧化膜厚度的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.3 保温时间对铜箔表面氧化膜厚度的影响 | 第40-41页 |
| 3.4 预氧化工艺对铜组织的影响 | 第41-50页 |
| 3.4.1 引言 | 第41-43页 |
| 3.4.2 金相组织观察 | 第43-46页 |
| 3.4.3 粒径测试 | 第46-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 铜组织和膜厚对Cu-Al_2O_3敷接的影响 | 第52-66页 |
| 4.1 引言 | 第52-55页 |
| 4.1.1 DBC技术的原理 | 第52-53页 |
| 4.1.2 影响铜与陶瓷敷接的因素 | 第53-54页 |
| 4.1.3 Al_2O_3-DBC的键合机理 | 第54页 |
| 4.1.4 Al_2O_3-DBC敷接过程研究现状 | 第54-55页 |
| 4.2 敷接工艺的探索 | 第55-59页 |
| 4.2.1 敷接温度的探索 | 第56-58页 |
| 4.2.2 敷接时间的探索 | 第58-59页 |
| 4.3 敷接断面表征 | 第59-60页 |
| 4.4 预氧化后铜晶粒尺寸对Cu-Al_2O_3敷接的影响 | 第60-62页 |
| 4.5 氧化膜厚度对Cu-Al_2O_3敷接的影响 | 第62-63页 |
| 4.6 本章小结 | 第63-66页 |
| 第五章 全文总结和课题展望 | 第66-70页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第66-67页 |
| 5.2 本文的创新点 | 第67页 |
| 5.3 课题展望 | 第67-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 在学期间的学术成果以及发表的学术论文 | 第76页 |
