| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 阻变式存储器回顾 | 第10-14页 |
| 1.2.1 阻变式存储器研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.2 阻变式存储器的表现特征 | 第12-14页 |
| 1.3 Nb:SrTiO_3肖特基结存储器的研究背景 | 第14-16页 |
| 1.4 铁电薄膜存储器的研究背景 | 第16-19页 |
| 1.4.1 电阻开关的铁电极化控制 | 第16-18页 |
| 1.4.2 铁电氧化物与RS性质的关系 | 第18-19页 |
| 1.5 本文的研究内容和意义 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-26页 |
| 第2章 BaTiO_3薄膜的制备方法和电学性质的测试系统 | 第26-36页 |
| 2.1 铁电薄膜的制备方法 | 第26页 |
| 2.2 激光脉冲沉积(PLD)技术 | 第26-28页 |
| 2.3 溅射技术 | 第28-29页 |
| 2.4 表征手段 | 第29-31页 |
| 2.4.1 X射线衍射 | 第29-30页 |
| 2.4.2 Keithley 2400源表简介 | 第30页 |
| 2.4.3 阻抗分析仪Aglient 4294A简介 | 第30-31页 |
| 2.5 电学系统搭建 | 第31-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-36页 |
| 第3章 Au/Nb:SrTiO_3/In肖特基结的电学特性 | 第36-48页 |
| 3.1 Au/Nb:SrTiO_3/In器件的制备 | 第36-37页 |
| 3.2 Au/Nb:SrTiO_3/In的电学性质 | 第37-44页 |
| 3.2.1 Au/Nb:SrTiO_3/In的I-V特性 | 第37-39页 |
| 3.2.2 Au/Nb:SrTiO_3/In的I-V_(pluse)特性 | 第39-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 第4章 NSTO衬底上外延BaTiO_3薄膜的制备和电学特性 | 第48-62页 |
| 4.1 衬底的选择 | 第48-49页 |
| 4.2 利用激光脉冲沉积技术生长BTO薄膜 | 第49页 |
| 4.3 BaTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的XRD表征 | 第49-50页 |
| 4.4 BaTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的电学性质 | 第50-59页 |
| 4.4.1 Au/BaTiO_3/Nb:SrTiO_3/In器件的制备 | 第50-51页 |
| 4.4.2 BaTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的I-V特性 | 第51-53页 |
| 4.4.3 BaTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的I-V_(pluse)特性 | 第53-54页 |
| 4.4.4 BaTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的保持性和疲劳性 | 第54-55页 |
| 4.4.5 BaTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的不对称开关效应 | 第55-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第5章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第66-67页 |
