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铁电及常规Schottky结双极性阻变的不对称开关速度的研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第10-26页
    1.1 引言第10页
    1.2 阻变式存储器回顾第10-14页
        1.2.1 阻变式存储器研究现状第10-12页
        1.2.2 阻变式存储器的表现特征第12-14页
    1.3 Nb:SrTiO_3肖特基结存储器的研究背景第14-16页
    1.4 铁电薄膜存储器的研究背景第16-19页
        1.4.1 电阻开关的铁电极化控制第16-18页
        1.4.2 铁电氧化物与RS性质的关系第18-19页
    1.5 本文的研究内容和意义第19-21页
    参考文献第21-26页
第2章 BaTiO_3薄膜的制备方法和电学性质的测试系统第26-36页
    2.1 铁电薄膜的制备方法第26页
    2.2 激光脉冲沉积(PLD)技术第26-28页
    2.3 溅射技术第28-29页
    2.4 表征手段第29-31页
        2.4.1 X射线衍射第29-30页
        2.4.2 Keithley 2400源表简介第30页
        2.4.3 阻抗分析仪Aglient 4294A简介第30-31页
    2.5 电学系统搭建第31-32页
    2.6 本章小结第32-33页
    参考文献第33-36页
第3章 Au/Nb:SrTiO_3/In肖特基结的电学特性第36-48页
    3.1 Au/Nb:SrTiO_3/In器件的制备第36-37页
    3.2 Au/Nb:SrTiO_3/In的电学性质第37-44页
        3.2.1 Au/Nb:SrTiO_3/In的I-V特性第37-39页
        3.2.2 Au/Nb:SrTiO_3/In的I-V_(pluse)特性第39-44页
    3.3 本章小结第44-45页
    参考文献第45-48页
第4章 NSTO衬底上外延BaTiO_3薄膜的制备和电学特性第48-62页
    4.1 衬底的选择第48-49页
    4.2 利用激光脉冲沉积技术生长BTO薄膜第49页
    4.3 BaTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的XRD表征第49-50页
    4.4 BaTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的电学性质第50-59页
        4.4.1 Au/BaTiO_3/Nb:SrTiO_3/In器件的制备第50-51页
        4.4.2 BaTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的I-V特性第51-53页
        4.4.3 BaTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的I-V_(pluse)特性第53-54页
        4.4.4 BaTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的保持性和疲劳性第54-55页
        4.4.5 BaTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的不对称开关效应第55-59页
    4.5 本章小结第59-60页
    参考文献第60-62页
第5章 结论与展望第62-64页
致谢第64-66页
攻读学位期间发表的学术论文目录第66-67页

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