| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 n型晶体硅太阳电池简介 | 第9-13页 |
| 1.2.1 叉指式背接触(IBC)太阳电池 | 第9-10页 |
| 1.2.2 隧道氧化钝化接触太阳电池 | 第10-11页 |
| 1.2.3 晶硅/非晶硅异质结太阳电池 | 第11页 |
| 1.2.4 n-PERT结构太阳电池 | 第11-13页 |
| 1.3 n-PERT太阳电池扩散技术现状及问题分析 | 第13-15页 |
| 1.3.1 硼原子扩散法制备p~+层技术 | 第13-15页 |
| 1.3.2 如何有效的实现硼磷一步扩散 | 第15页 |
| 1.4 热丝气相沉积法(HWCVD)简介 | 第15-17页 |
| 1.4.1 热丝CVD法简介 | 第15-16页 |
| 1.4.2 HWCVD反应原理 | 第16-17页 |
| 1.5 本文的创新点与研究内容 | 第17-20页 |
| 第2章 HWCVD沉积固态源扩散技术的可行性研究 | 第20-31页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 实验材料与准备 | 第20-23页 |
| 2.2.1 主要实验原材料与设备 | 第20-22页 |
| 2.2.2 衬底清洗 | 第22-23页 |
| 2.3 HWCVD沉积固态源扩散技术可行性分析 | 第23-30页 |
| 2.3.1 HWCVD沉积固态源扩散技术制备p~+层和n~+层的方阻情况 | 第23-26页 |
| 2.3.2 硅片扩散后表面“起泡”现象的分析及解决 | 第26-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 HWCVD法沉积固态源扩散制备p~+层和n~+层的系统研究 | 第31-52页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 实验方法 | 第31-32页 |
| 3.2.1 实验表征仪器 | 第31-32页 |
| 3.2.2 实验方案 | 第32页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第32-51页 |
| 3.3.1 HWCVD沉积重掺杂固态源层性能 | 第32-37页 |
| 3.3.2 硅片扩散后的表面处理 | 第37-42页 |
| 3.3.3 HWCVD沉积固态源扩散制备p~+发射极和n~+背电场 | 第42-49页 |
| 3.3.4 热丝使用前后的性能变化 | 第49-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 基于新型扩散技术的n-PERT太阳电池设计与制备 | 第52-63页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 HWCVD沉积固态源分步扩散制备n-FJ-PERT电池 | 第52-56页 |
| 4.2.1 实验方案与方法 | 第52-54页 |
| 4.2.3 电池结果分析 | 第54-56页 |
| 4.3 HWCVD沉积固态源分步扩散制备n-BJ-PERT电池 | 第56-59页 |
| 4.3.2 实验方案与方法 | 第56页 |
| 4.3.3 n-BJ-PERT电池结果分析 | 第56-59页 |
| 4.4 HWCVD沉积固态源一步扩散制备n-FJ-PERT电池 | 第59-62页 |
| 4.4.1 硼磷一步扩散技术 | 第59页 |
| 4.4.2 实验方案与过程 | 第59-60页 |
| 4.4.3 结果与讨论 | 第60-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第5章 总结与展望 | 第63-64页 |
| 5.1 研究结论 | 第63页 |
| 5.2 本文创新点 | 第63页 |
| 5.3 下一步工作展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第70页 |
