| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-21页 |
| 1.1 太阳电池与太阳电池材料 | 第16页 |
| 1.2 SnS薄膜材料 | 第16-17页 |
| 1.3 SnS薄膜的制备方法 | 第17-20页 |
| 1.3.1 真空蒸发法 | 第18页 |
| 1.3.2 磁控溅射法 | 第18页 |
| 1.3.3 电沉积法 | 第18页 |
| 1.3.4 电子束蒸发法 | 第18-19页 |
| 1.3.5 喷雾热解法 | 第19页 |
| 1.3.6 化学气相沉积 | 第19页 |
| 1.3.7 化学水浴法 | 第19页 |
| 1.3.8 近空间升华法 | 第19页 |
| 1.3.9 两步法 | 第19-20页 |
| 1.3.10 脉冲激光沉积法 | 第20页 |
| 1.4 本文的目的与内容 | 第20-21页 |
| 第二章 实验设备及相关表征手段 | 第21-28页 |
| 2.1 薄膜和器件制备所用设备、仪器 | 第21-23页 |
| 2.1.1 磁控溅射沉积系统 | 第21页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积系统 | 第21-22页 |
| 2.1.3 电子束蒸发镀膜系统 | 第22-23页 |
| 2.2 薄膜材料和薄膜器件的表征手段 | 第23-27页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第23-24页 |
| 2.2.2 场发射扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第25-26页 |
| 2.2.4 紫外可见近红外分光光度计 | 第26页 |
| 2.2.5 半导体特征分析系统 | 第26-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 膜厚对磁控溅射法制备的SnS薄膜的影响 | 第28-46页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.1.1 研究背景 | 第28页 |
| 3.1.2 磁控溅射法的特点 | 第28页 |
| 3.1.3 薄膜厚度的测量方法 | 第28-29页 |
| 3.2 实验过程 | 第29-30页 |
| 3.2.1 SnS薄膜的制备 | 第29页 |
| 3.2.2 样品的结构和性能表征 | 第29-30页 |
| 3.3 实验结果分析 | 第30-44页 |
| 3.3.1 晶相分析 | 第30-32页 |
| 3.3.2 组分分析 | 第32-33页 |
| 3.3.3 形貌分析 | 第33-36页 |
| 3.3.4 光学性质分析 | 第36-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 脉冲激光沉积法制备掺杂SnS薄膜 | 第46-64页 |
| 4.1 引言 | 第46-47页 |
| 4.1.1 研究背景 | 第46页 |
| 4.1.2 脉冲激光沉积法特点 | 第46-47页 |
| 4.2 实验过程 | 第47-49页 |
| 4.2.1 靶材的制备 | 第47页 |
| 4.2.2 镀膜操作过程 | 第47-48页 |
| 4.2.3 电极制备过程 | 第48页 |
| 4.2.4 样品的结构和性能表征 | 第48-49页 |
| 4.3 实验结果分析 | 第49-62页 |
| 4.3.1 SnS粉末和Cu_2S粉末XRD表征 | 第49-51页 |
| 4.3.2 样品的晶相分析 | 第51-54页 |
| 4.3.3 样品的形貌分析 | 第54-55页 |
| 4.3.4 样品的光学性质分析 | 第55-59页 |
| 4.3.5 样品的电学性质分析 | 第59-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 基于SnS薄膜异质结器件的制备 | 第64-68页 |
| 5.1 SnS薄膜异质结器件的研究进展 | 第64-65页 |
| 5.2 p-SnS(5%Cu掺杂)/n-ZnS异质结器件 | 第65-67页 |
| 5.2.1 p-SnS(5%Cu掺杂)/n-ZnS异质结器件结构与制备 | 第65-66页 |
| 5.2.2 p-SnS(5%Cu掺杂)/n-ZnS异质结器件的I-V特性 | 第66-67页 |
| 5.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第72页 |
