| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 石墨烯的结构和基本特性 | 第10-14页 |
| 1.2 石墨烯应用的研究现状及发展趋势 | 第14-18页 |
| 1.2.1 石墨烯场效应晶体管 | 第15-17页 |
| 1.2.2 石墨烯其他应用 | 第17-18页 |
| 1.3 石墨烯场效应晶体管的结构和原理 | 第18-20页 |
| 1.3.1 GFET器件的结构 | 第18-19页 |
| 1.3.2 GFET器件的原理 | 第19-20页 |
| 1.4 石墨烯结合量子点材料制成高灵敏光电探测器 | 第20-23页 |
| 1.5 本文的研究内容与意义 | 第23-25页 |
| 第二章 石墨烯的制备及表征 | 第25-35页 |
| 2.1 石墨烯的制备方法和原理介绍 | 第25-28页 |
| 2.1.1 机械剥离法 | 第25-26页 |
| 2.1.2 化学气相沉积(CVD)法 | 第26-27页 |
| 2.1.3 SiC外延生长法 | 第27页 |
| 2.1.4 氧化还原法 | 第27-28页 |
| 2.2 机械剥离法单层石墨烯的制备和定位 | 第28-30页 |
| 2.3 石墨烯的表征 | 第30-33页 |
| 2.3.1 金相显微镜表征 | 第31页 |
| 2.3.2 拉曼光谱表征 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 石墨烯场效应晶体管的制备及特性研究 | 第35-51页 |
| 3.1 石墨烯FET的制备 | 第35-41页 |
| 3.1.1 机械剥离石墨烯FET的制备工艺 | 第35-39页 |
| 3.1.2 CVD石墨烯FET的制备工艺 | 第39-41页 |
| 3.2 电学特性研究及电学参数计算 | 第41-47页 |
| 3.2.1 石墨烯电阻特性研究 | 第42-43页 |
| 3.2.2 双极型I_d-V_g曲线 | 第43-46页 |
| 3.2.3 单极型I_d-V_g曲线 | 第46-47页 |
| 3.3 GFET表面掺杂研究 | 第47-49页 |
| 3.3.1 氨水溶液对GFET电学特性的影响 | 第47-48页 |
| 3.3.2 氨水溶液浓度对GFET电学特性的影响 | 第48-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 量子点-石墨烯混合型探测器光响应特性研究 | 第51-60页 |
| 4.1 CuInS_2/ZnS量子点材料简介 | 第51-52页 |
| 4.2 CuInS_2/ZnS量子点与CVD石墨烯混合型器件研究 | 第52-55页 |
| 4.3 CuInS_2/ZnS量子点与机械剥离石墨烯混合型器件研究 | 第55-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 全文总结 | 第60-61页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67页 |