| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 引言 | 第10-20页 |
| 1.1 全球能源危机 | 第10-11页 |
| 1.2 光伏产业的动态及发展前景 | 第11-12页 |
| 1.3 太阳能电池简介 | 第12-19页 |
| 1.3.1 HIT电池介绍 | 第13-15页 |
| 1.3.2 透明导电薄膜介绍 | 第15-16页 |
| 1.3.3 ITO薄膜介绍 | 第16-19页 |
| 1.4 论文主要内容及构架 | 第19-20页 |
| 2 实验设备与测试方法 | 第20-30页 |
| 2.1 实验设备 | 第20-24页 |
| 2.1.1 PECVD系统及原理 | 第20-22页 |
| 2.1.2 磁控溅射系统及原理 | 第22-23页 |
| 2.1.3 真空蒸发镀膜系统及原理 | 第23-24页 |
| 2.2 薄膜测试方法 | 第24-28页 |
| 2.2.1 四探针法测电阻 | 第24页 |
| 2.2.2 椭圆偏振光谱 | 第24-25页 |
| 2.2.3 紫外-可见光分光光度计 | 第25-26页 |
| 2.2.4 X射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| 2.2.5 扫描电子显微镜(SEM) | 第27-28页 |
| 2.3 电池效率测试仪 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 3 射频磁控溅射低温制备ITO薄膜 | 第30-47页 |
| 3.1 实验方法 | 第30页 |
| 3.2 ITO薄膜沉积参数优化 | 第30-40页 |
| 3.2.1 O_2/Ar流量比对ITO薄膜晶向结构以及光电性质的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.2 溅射功率对ITO薄膜晶向结构以及光电性质的影响 | 第33-35页 |
| 3.2.3 溅射气压对ITO薄膜晶向结构以及光电性质的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.4 沉积温度对ITO薄膜晶向结构以及光电性质的影响 | 第36-38页 |
| 3.2.5 靶基距对ITO薄膜晶向结构以及光电性质的影响 | 第38-40页 |
| 3.3 ITO退火处理 | 第40-43页 |
| 3.3.1 退火处理对ITO薄膜微观结构以及光电性质的影响 | 第41-43页 |
| 3.4 直流磁控溅射和射频磁控溅射制备出ITO的比较 | 第43-46页 |
| 3.4.1 SEM | 第43-44页 |
| 3.4.2 XRD | 第44-45页 |
| 3.4.3 ITO(DC)和ITO(RF)分别用于电池上 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 4 本征非晶硅层的真空退火对HIT电池的影响 | 第47-55页 |
| 4.1 制备流程 | 第47-49页 |
| 4.2 不加i层和加i层太阳能电池比较 | 第49-50页 |
| 4.3 a-Si:H薄膜退火处理 | 第50-54页 |
| 4.3.1 a-Si:H(i)层的退火温度对简单HIT电池性能的影响 | 第51-52页 |
| 4.3.2 a-Si:H(i)层的退火时间对简单HIT电池性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 5 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 个人简历与硕士期间发表论文 | 第59-60页 |
| 个人简历 | 第59页 |
| 硕士期间发表论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
