| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 振荡器发展历史 | 第9-12页 |
| 1.2 研究背景与意义 | 第12页 |
| 1.3 振荡器的设计要求 | 第12-16页 |
| 1.3.1 高频大功率振荡器对功率半导体器件的要求 | 第13-14页 |
| 1.3.2 振荡器高效率的要求对放大器电路的选择 | 第14-16页 |
| 1.4 工作内容与安排 | 第16-17页 |
| 注释 | 第17-19页 |
| 2 射频功率振荡器设计原理 | 第19-29页 |
| 2.1 振荡器的基本原理 | 第19-22页 |
| 2.1.1 振荡器理论模型 | 第19-20页 |
| 2.1.2 振荡器的工作条件 | 第20-22页 |
| 2.2 E类放大器原理 | 第22-26页 |
| 2.2.1 E类放大器基本原理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 负载网络参数对E类放大器的影响 | 第23-24页 |
| 2.2.3 放大器效率的影响因素及改善 | 第24-26页 |
| 2.3 选频网络 | 第26-27页 |
| 2.4 反馈网络 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28页 |
| 注释 | 第28-29页 |
| 3 E类射频功率振荡器设计 | 第29-36页 |
| 3.1 主电路设计与参数计算 | 第29-33页 |
| 3.1.1 E类放大器电路的数学分析和参数计算 | 第30-32页 |
| 3.1.2 射频功率MOSFET的分析 | 第32页 |
| 3.1.3 负载网络参数计算 | 第32-33页 |
| 3.2 偏置电路和保护电路的设计与参数计算 | 第33-34页 |
| 3.3 振荡器总体电路 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35页 |
| 注释 | 第35-36页 |
| 4 电路仿真与调试 | 第36-50页 |
| 4.1 电路仿真 | 第36-43页 |
| 4.1.1 低电压条件下的电路仿真 | 第37-39页 |
| 4.1.2 高电压条件下的电路仿真 | 第39-42页 |
| 4.1.3 仿真结果分析 | 第42-43页 |
| 4.2 实验电路的搭建与调试 | 第43-49页 |
| 4.2.1 电感电容的选择与制作 | 第43-44页 |
| 4.2.2 PCB制作原理 | 第44-46页 |
| 4.2.3 实验电路的搭建与实验结果 | 第46-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49页 |
| 注释 | 第49-50页 |
| 5 总结与展望 | 第50-53页 |
| 5.1 总结 | 第50页 |
| 5.2 展望 | 第50-53页 |
| 个人简历，在校期间发表的学术论文与研究成果 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |