| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 1 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN 材料概述 | 第11-13页 |
| 1.3 MOCVD 技术简介 | 第13-16页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第16-19页 |
| 1.5 本文研究内容与目的 | 第19-21页 |
| 2 MOCVD 生长 GaN 的数值计算方法 | 第21-27页 |
| 2.1 模型假设与简化 | 第21页 |
| 2.2 控制方程与边界条件 | 第21-24页 |
| 2.3 本文采用的化学反应模型 | 第24-25页 |
| 2.4 数值模拟计算方法 | 第25-27页 |
| 3 CCS-MOCVD 反应器的研究与优化 | 第27-61页 |
| 3.1 反应器几何模型与基准条件 | 第28-29页 |
| 3.2 基准条件下的模拟结果与验证 | 第29-33页 |
| 3.3 几何结构的影响 | 第33-45页 |
| 3.4 工艺参数的影响 | 第45-53页 |
| 3.5 反应器的优化设计 | 第53-61页 |
| 4 总结与展望 | 第61-65页 |
| 4.1 结论与创新点 | 第61-63页 |
| 4.2 工作展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |