| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 薄膜应变计的研究现状 | 第11-15页 |
| 1.3 应变敏感薄膜材料 | 第15-16页 |
| 1.4 NiCr薄膜的研究状况 | 第16-19页 |
| 1.5 选题依据与研究方案 | 第19-21页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第19-20页 |
| 1.5.2 研究方案 | 第20-21页 |
| 第二章 薄膜应变计的结构及制备方法 | 第21-27页 |
| 2.1 金属基薄膜应变计的结构 | 第21-22页 |
| 2.2 薄膜应变计的制备工艺及表征 | 第22-27页 |
| 2.2.1 薄膜应变计的制备工艺 | 第22-24页 |
| 2.2.2 薄膜结构性能的表征方法 | 第24-25页 |
| 2.2.3 薄膜应变计的性能表征 | 第25-27页 |
| 第三章 Al_2O_3陶瓷基片上NiCr薄膜应变计的制备 | 第27-51页 |
| 3.1 Al_2O_3陶瓷基片上NiCr薄膜应变计的制备过程 | 第27-29页 |
| 3.2 溅射气压的影响 | 第29-36页 |
| 3.2.1 溅射气压对NiCr薄膜晶体结构与表面形貌的影响 | 第29-31页 |
| 3.2.2 溅射气压对NiCr薄膜方阻与电阻率的影响 | 第31-32页 |
| 3.2.3 溅射气压对NiCr薄膜应变计电阻温度系数(TCR)的影响 | 第32-35页 |
| 3.2.4 溅射气压对NiCr薄膜应变计应变灵敏系数(GF)的影响 | 第35-36页 |
| 3.3 基片温度的影响 | 第36-43页 |
| 3.3.1 基片温度对NiCr薄膜晶体结构与表面形貌的影响 | 第36-39页 |
| 3.3.2 基片温度对NiCr薄膜方阻与电阻率的影响 | 第39页 |
| 3.3.3 基片温度对NiCr薄膜应变计电阻温度系数(TCR)的影响 | 第39-42页 |
| 3.3.4 基片温度对NiCr薄膜应变计应变灵敏系数(GF)的影响 | 第42页 |
| 3.3.5 基片温度对NiCr薄膜应变计附着力的影响 | 第42-43页 |
| 3.4 退火温度的影响 | 第43-50页 |
| 3.4.1 退火温度对NiCr薄膜晶体结构与表面形貌的影响 | 第44-46页 |
| 3.4.2 退火温度对NiCr薄膜方阻与电阻率的影响 | 第46-47页 |
| 3.4.3 退火温度对NiCr薄膜应变计电阻温度系数(TCR)的影响 | 第47-49页 |
| 3.4.4 退火温度对NiCr薄膜应变计应变灵敏系数(GF)的影响 | 第49-50页 |
| 3.5 小结 | 第50-51页 |
| 第四章 合金基底上NiCr薄膜应变计的制备 | 第51-61页 |
| 4.1 过渡层与热氧化层的制备 | 第51-52页 |
| 4.2 绝缘层的制备 | 第52-55页 |
| 4.3 NiCr功能层的制备 | 第55-57页 |
| 4.4 保护层及引出线的制备 | 第57页 |
| 4.5 应变计性能表征 | 第57-60页 |
| 4.6 小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 结论 | 第61-62页 |
| 5.2 展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 硕士研究生期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
