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InP HBT器件模型及电路研究

摘要第3-4页
Abstract第4页
第一章 绪论第7-13页
    1.1 InP 基 HBT 器件与电路的国内外研究现状第7-9页
    1.2 Ⅲ-Ⅴ族 HBT 模型的发展与研究现状第9-10页
    1.3 本论文的研究思路第10-11页
    1.4 本论文的主要内容第11-13页
第二章 InP HBT 小信号模型第13-31页
    2.1 HBT 基本原理第13-14页
    2.2 HBT 器件特性第14-17页
        2.2.1 直流特性第15-16页
        2.2.2 频率特性第16-17页
    2.3 InP HBT 小信号模型拓扑第17-18页
    2.4 InP HBT 小信号模型参数提取第18-30页
    2.5 小结第30-31页
第三章 InP HBT 大信号模型第31-61页
    3.1 双极晶体管大信号模型简介第31-33页
    3.2 Agilent HBT 大信号模型概述第33-37页
        3.2.1 电流模型第33-34页
        3.2.2 电荷模型第34-36页
        3.2.3 温度效应模型第36-37页
    3.3 Agilent HBT 模型参数介绍及测试第37-45页
        3.3.1 Agilent HBT 模型参数简介第37-39页
        3.3.2 非本征电阻测试第39-41页
        3.3.3 直流参数测试第41-43页
        3.3.4 结电容测试第43-44页
        3.3.5 多偏置下传输时间第44-45页
    3.4 InP HBT 大信号模型参数提取第45-58页
    3.5 小结第58-61页
第四章 微波电路的设计第61-79页
    4.1 InP 基电路在通信中的应用第61-63页
    4.2 微波电路的理论综述第63-70页
        4.2.1 传输线理论第63-64页
        4.2.2 二端口网络与 S 参数第64-66页
        4.2.3 史密斯圆图第66-68页
        4.2.4 阻抗匹配第68-70页
    4.3 微波电路的基本指标第70-73页
        4.3.1 中心频率第70页
        4.3.2 带宽第70页
        4.3.3 增益第70-71页
        4.3.4 稳定性第71-72页
        4.3.5 线性度第72-73页
    4.4 小信号电路的仿真及优化第73-77页
    4.5 小结第77-79页
第五章 总结及展望第79-81页
致谢第81-83页
参考文献第83-88页

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