| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 拓扑材料简介 | 第10-11页 |
| 1.2 Hesuler合金中的拓扑材料 | 第11-12页 |
| 1.3 本文研究 | 第12-15页 |
| 第2章 实验及测试方法 | 第15-22页 |
| 2.1 Zr_(1-x)Nb_xCo_2Sn的单晶生长 | 第15-17页 |
| 2.1.1 实验原材料 | 第15-16页 |
| 2.1.2 晶体生长过程 | 第16-17页 |
| 2.2 Zr_(1-x)Nb_xCo_2Sn的结构及成分测试 | 第17-19页 |
| 2.2.1 X射线单晶四圆衍射仪 | 第17-18页 |
| 2.2.2 X射线粉末衍射仪 | 第18页 |
| 2.2.3 X射线能谱仪(EDX) | 第18-19页 |
| 2.3 Zr_(1-x)Nb_xCo_2Sn的物理性质测试 | 第19-22页 |
| 2.3.1 综合物性测量系统 | 第19-20页 |
| 2.3.2 磁性测量系统 | 第20页 |
| 2.3.3 Janis-He4系统 | 第20-22页 |
| 第3章 数据分析及讨论 | 第22-38页 |
| 3.1 Zr_(1-x)Nb_xCo_2Sn的成分分析 | 第22页 |
| 3.2 Zr_(1-x)Nb_xCo_2Sn的结构分析 | 第22-25页 |
| 3.3 Zr_(1-x)Nb_xCo_2Sn磁性分析 | 第25-29页 |
| 3.4 Zr_(1-x)Nb_xCo_2Sn的输运性质分析 | 第29-36页 |
| 3.4.1 纵向电阻率 | 第29-31页 |
| 3.4.2 纵向磁电阻率 | 第31-33页 |
| 3.4.3 角度依赖的纵向磁阻率 | 第33-34页 |
| 3.4.4 霍尔电阻率 | 第34-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 其他拓扑材料单晶生长 | 第38-44页 |
| 4.1 晶体生长方法介绍 | 第38-40页 |
| 4.1.1 LaBi单晶的生长 | 第39页 |
| 4.1.2 Na_3Bi晶体的生长 | 第39-40页 |
| 4.1.3 HgCr_2Se_4晶体的生长 | 第40页 |
| 4.2 TiB_2的低温输运性质测量 | 第40-42页 |
| 4.2.1 TiB_2材料研究背景 | 第40-41页 |
| 4.2.2 TiB_2的磁阻率测量 | 第41-42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第5章 总结与展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
