| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 序言 | 第7-17页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 二次离子质谱分析（SIMS）简介 | 第7-8页 |
| 1.3 二次离子质谱学（SIMS）发展史 | 第8-9页 |
| 1.4 二次离子质谱仪（SIMS）的工作原理和结构 | 第9-13页 |
| 1.4.1 二次离子质谱仪（SIMS）的工作原理 | 第9-10页 |
| 1.4.2 二次离子质谱仪（SIMS）的结构 | 第10-11页 |
| 1.4.3 IMS-7F 型二次离子质谱仪（SIMS）主要部件简介 | 第11-13页 |
| 1.5 二次离子质谱分析(SIMS）和其他分析技术的比较 | 第13-15页 |
| 1.5.1 二次离子质谱仪（SIMS）的优缺点 | 第13-14页 |
| 1.5.2 二次离子质谱仪（SIMS）和其他表面分析技术比较 | 第14-15页 |
| 1.6 二次离子质谱分析(SIMS）在半导体材料与器件方面的应用 | 第15-16页 |
| 1.7 本论文的研究内容及其行文安排 | 第16-17页 |
| 第二章 LED 器件的 SIMS 分析 | 第17-25页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 GaN 基 LED 外延片的 SIMS 深度剖析 | 第17-21页 |
| 2.3 GaN 基 LED 芯片的 SIMS 深度剖析 | 第21-24页 |
| 2.3.1 GaN 基 LED 芯片的结构 | 第21-23页 |
| 2.3.2 GaN 基 LED 芯片的 SIMS 深度剖析 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 用于 SIMS 分析的 LED 芯片样品制备 | 第25-35页 |
| 3.1 本实验用于 SIMS 分析的 LED 芯片简介 | 第25-26页 |
| 3.2 化学机械抛光（CMP）相关介绍 | 第26-29页 |
| 3.2.1 样品制备方法的选择 | 第26页 |
| 3.2.2 CMP 简介 | 第26-27页 |
| 3.2.3 CMP 工作机理 | 第27-28页 |
| 3.2.4 CMP 工作方式 | 第28-29页 |
| 3.3 用于 SIMS 分析的 LED 芯片样品制备 | 第29-33页 |
| 3.3.1 实验所需设备及物料 | 第29-30页 |
| 3.3.2 用于 SIMS 分析的 LED 芯片制备的实验过程 | 第30-33页 |
| 3.3.3 实验小结 | 第33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 用于 SIMS 分析区域的找寻及测试 | 第35-49页 |
| 4.1 用于 SIMS 分析的 LED 芯片样品筛选 | 第35-36页 |
| 4.2 CMP 加工后 LED 芯片的表面形貌 | 第36-37页 |
| 4.3 CMP 加工后 LED 芯片表面的粗糙度 | 第37-41页 |
| 4.3.1 台阶仪简介 | 第37-39页 |
| 4.3.2 适用于 SIMS 深度剖析区域的探究 | 第39-41页 |
| 4.4 SIMS 分析试样的准备 | 第41-43页 |
| 4.5 SIMS 分析实例 | 第43-48页 |
| 4.5.1 对样品进行平行于电极方向测量倾斜度和粗糙度 | 第43-45页 |
| 4.5.2 对样品进行垂直于电极方向测量倾斜度和粗糙度 | 第45-46页 |
| 4.5.3 对样品进行 SIMS 深度剖析 | 第46-48页 |
| 4.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 总结 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
