| 作者简介 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-33页 |
| 1.1 红外探测器发展简介 | 第13-15页 |
| 1.1.1 红外探测器概述 | 第13-14页 |
| 1.1.2 红外探测器材料 | 第14-15页 |
| 1.2 量子阱红外探测器材料、结构及器件物理 | 第15-24页 |
| 1.2.1 量子阱红外探测器概述 | 第15-16页 |
| 1.2.2 量子阱红外探测器材料与结构 | 第16-18页 |
| 1.2.3 QWIP 器件物理的研究 | 第18-24页 |
| 1.3 量子阱红外探测器国内外研究现状 | 第24-27页 |
| 1.3.1 国外研究的现状 | 第24-26页 |
| 1.3.2 国内研究的现状 | 第26-27页 |
| 1.4 量子阱红外探测器优点和不足 | 第27-28页 |
| 1.5 课题的背景及意义 | 第28-29页 |
| 1.5.1 课题立项依据 | 第28-29页 |
| 1.5.2 课题意义 | 第29页 |
| 1.6 课题主要工作 | 第29-31页 |
| 1.7 小结 | 第31-33页 |
| 第二章 GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器 | 第33-51页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器工作原理 | 第33-42页 |
| 2.2.1 第一个 QWIP | 第33-37页 |
| 2.2.2 GaAs/AlGaAs QWIP 工作原理 | 第37-38页 |
| 2.2.3 GaAs/AlGaAs QWIP 跃迁模式 | 第38-42页 |
| 2.3 GaAs/AlGaAs QWIP 光耦合方式 | 第42-43页 |
| 2.4 GaAs/AlGaAs QWIP 主要性能参数 | 第43-49页 |
| 2.4.1 暗电流 | 第43-45页 |
| 2.4.2 伏安特性 | 第45-46页 |
| 2.4.3 响应特性 | 第46-47页 |
| 2.4.4 光谱响应特性 | 第47-49页 |
| 2.5 小结 | 第49-51页 |
| 第三章 量子阱材料制备与测试平台及方法 | 第51-69页 |
| 3.1 引言 | 第51-52页 |
| 3.2 金属有机物化学气相沉积法（MOCVD） | 第52-56页 |
| 3.2.1 MOCVD 技术特点 | 第53页 |
| 3.2.2 MOCVD 设备 | 第53-55页 |
| 3.2.3 GaAs MOCVD 的生长 | 第55页 |
| 3.2.4 MOCVD 的技术关键 | 第55-56页 |
| 3.3 QWIP 测试系统设计 | 第56-65页 |
| 3.3.1 系统硬件设计 | 第56-57页 |
| 3.3.2 系统测试平台与仪器设备 | 第57-61页 |
| 3.3.3 系统软件设计 | 第61-65页 |
| 3.4 测试方法 | 第65-68页 |
| 3.4.1 光致发光光谱分析 | 第65-66页 |
| 3.4.2 高分辨透射电子显微技术 | 第66-68页 |
| 3.5 小结 | 第68-69页 |
| 第四章 GaAs/Al0.3Ga0.7As QWIP 光电特性及 HRTEM 研究 | 第69-90页 |
| 4.1 引言 | 第69页 |
| 4.2 样品制备 | 第69-70页 |
| 4.3 样品测试 | 第70-81页 |
| 4.3.1 量子阱失效测试与分析 | 第70-72页 |
| 4.3.2 暗电流测试与分析 | 第72-76页 |
| 4.3.3 伏安特性测试与分析 | 第76-77页 |
| 4.3.4 积分响应测试与分析 | 第77-79页 |
| 4.3.5 光谱响应测试与分析 | 第79-81页 |
| 4.4 实验结果 HRTEM 研究 | 第81-84页 |
| 4.4.1 样品制样 | 第81页 |
| 4.4.2 实验结果分析与探讨 | 第81-84页 |
| 4.5 样品 PL 谱研究 | 第84-87页 |
| 4.5.1 样品 PL 谱实验 | 第84-85页 |
| 4.5.2 实验结果分析与探讨 | 第85-87页 |
| 4.6 小结 | 第87-90页 |
| 第五章 势垒高度对 GaAs/AlxGa1-xAs QWIP 光电特性的修饰 | 第90-106页 |
| 5.1 引言 | 第90-91页 |
| 5.2 量子阱结构参数设计与制备 | 第91-93页 |
| 5.2.1 量子阱结构参数设计 | 第91-92页 |
| 5.2.3 样品制备 | 第92-93页 |
| 5.3 样品测试与分析 | 第93-100页 |
| 5.3.1 响应特性测试与分析 | 第93-94页 |
| 5.3.2 暗电流测试与分析 | 第94-95页 |
| 5.3.3 伏安特性测试与分析 | 第95-96页 |
| 5.3.4 峰值探测率 | 第96-98页 |
| 5.3.5 光谱响应测试与分析 | 第98-99页 |
| 5.3.6 数据分析与处理 | 第99-100页 |
| 5.4 实验结果分析与探讨 | 第100-104页 |
| 5.4.1 样品界面形貌 HRTEM 分析 | 第100-101页 |
| 5.4.2 实验结果探讨 | 第101-103页 |
| 5.4.3 样品 PL 分析 | 第103-104页 |
| 5.5 小结 | 第104-106页 |
| 第六章 势阱宽度对 GaAs/Al0.3Ga0.7As QWIP 光电特性的影响 | 第106-126页 |
| 6.1 引言 | 第106-107页 |
| 6.2 量子阱能级设计 | 第107-108页 |
| 6.3 样品制备 | 第108-109页 |
| 6.4 样品测试与分析 | 第109-118页 |
| 6.4.1 暗电流测试与分析 | 第109-110页 |
| 6.4.2 响应特性测试与分析 | 第110-111页 |
| 6.4.3 伏安特性测试与分析 | 第111-112页 |
| 6.4.4 峰值探测率 | 第112-114页 |
| 6.4.5 光谱响应测试与分析 | 第114-115页 |
| 6.4.6 光致荧光光谱测试与分析 | 第115-118页 |
| 6.5 样品 HRTEM 研究 | 第118-123页 |
| 6.5.1 二维量子阱中的电子态 | 第118-119页 |
| 6.5.2 样品 HRTEM 形貌 | 第119-122页 |
| 6.5.3 光谱响应结果 HRTEM 分析 | 第122页 |
| 6.5.4 光致荧光谱测试结果 HRTEM 分析 | 第122-123页 |
| 6.6 小结 | 第123-126页 |
| 第七章 结束语 | 第126-130页 |
| 7.1 本文总结 | 第126-127页 |
| 7.2 工作展望 | 第127-130页 |
| 致谢 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-144页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第144-145页 |
| 学术论文 | 第144页 |
| 参加研究的科研项目 | 第144-145页 |
