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PECVD法制备多晶硅薄膜太阳能电池研究

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-6页
目录第7-9页
第一章 绪论第9-16页
    1.1 太阳能电池的发展和现状第9-15页
        1.1.1 太阳能电池的研究背景第9-10页
        1.1.2 太阳能电池原理简介第10-11页
        1.1.3 太阳能电池的发展第11-13页
        1.1.4 太阳能电池的研究现状和发展趋势第13-15页
    1.2 本论文的主要研究内容第15-16页
第二章 金属诱导非晶硅晶化研究第16-34页
    2.1 金属诱导非晶硅薄膜晶化概述第16-18页
    2.2 实验方法和仪器简介第18-20页
        2.2.1 样品制备仪器第18页
        2.2.2 分析测试仪器第18-20页
    2.3 金属铝诱导非晶硅薄膜晶化第20-25页
        2.3.1 实验方法第21-23页
        2.3.2 退火温度对晶化的影响第23-25页
    2.4 锡诱导非晶硅晶化第25-31页
        2.4.1 实验方法第26-27页
        2.4.2 退火温度对晶化的影响第27-31页
    2.5 基于AIC制备多晶硅薄膜的初步研究第31-33页
    小结第33-34页
第三章 浙江师范大学PECVD仪器设计和调试第34-49页
    3.1 等离子体化学相沉积系统简介第34-37页
        3.1.1 PECVD原理简介第34-36页
        3.1.2 PECVD沉积氢化非晶硅原理简介第36-37页
    3.2 浙江师范大学PECVD设计方案第37-38页
    3.3 PECVD4000型薄膜沉积系统介绍第38-48页
        3.3.1 非晶硅薄膜的主要制备工艺第43-44页
        3.3.2 非晶硅薄膜材料的结构第44-45页
        3.3.3 非晶硅薄膜材料的电学特性第45-48页
    小结第48-49页
第四章 硅基薄膜太阳能电池的初步研究第49-52页
    4.1. PIN结构非晶硅薄膜太阳能电池原理简介第49-50页
    4.2 初步制备PIN结构非晶硅薄膜太阳能电池第50-51页
    小结第51-52页
第五章 工作总结及展望第52-53页
参考文献第53-58页
研究生期间的主要工作第58-59页
致谢第59-61页

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