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SiC晶片精密研磨工艺及其表面损伤研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
目录第7-10页
CONTENTS第10-13页
物理量名称及符号表第13-14页
第一章 绪论第14-22页
    1.1 研究背景及意义第14-16页
    1.2 国内外加工单晶SiC的研究现状第16-20页
    1.3 单晶SiC晶片表面损伤研究现状第20-21页
    1.4 课题来源与研究内容第21-22页
第二章 实验设计与研究方法第22-30页
    2.1 研磨加工原理第22-23页
    2.2 实验条件第23-25页
        2.2.1 实验设备第23-24页
        2.2.2 实验材料第24-25页
    2.3 研磨实验方案第25-27页
        2.3.1 晶片固着(贴片)第25页
        2.3.2 研磨晶片第25-26页
        2.3.3 晶片清洗第26-27页
    2.4 检测与分析方法第27-29页
        2.4.1 材料去除率的测量与计算第27-28页
        2.4.2 晶片表面粗糙度的测量第28页
        2.4.3 晶片表面微观形貌的测量第28-29页
    2.5 本章小结第29-30页
第三章 单晶SiC研磨工艺实验研究第30-47页
    3.1 磨料的影响第31-37页
        3.1.1 磨料种类对表面粗糙度及材料去除率的影响第32-34页
        3.1.2 磨料粒径对表面粗糙度及材料去除率的影响第34-35页
        3.1.3 磨料浓度对表面粗糙度及材料去除率的影响第35-36页
        3.1.4 混合磨料对表面粗糙度及材料去除率的影响第36-37页
    3.2 研磨盘的影响第37-41页
        3.2.1 研磨盘材质对加工表面粗糙度及材料去除率的影响第37-39页
        3.2.2 研磨盘开槽尺寸对加工表面粗糙度及材料去除率的影响第39-41页
    3.3 研磨工艺参数的影响第41-44页
        3.3.1 研磨加载重量对表面粗糙度及材料去除率的影响第41-42页
        3.3.2 研磨盘转速对表面粗糙度及材料去除率的影响第42-43页
        3.3.3 研磨液流量对表面粗糙度及材料去除率的影响第43-44页
        3.3.4 研磨时间对表面粗糙度及材料去除率的影响第44页
    3.4 研磨参数优化第44-45页
    3.5 本章小结第45-47页
第四章 SiC晶片加工表面分析及损伤研究第47-70页
    4.1 晶片表面形貌及损伤的检测方法第47-49页
        4.1.1 超景深三维数码显微镜第47页
        4.1.2 激光共聚焦显微镜第47-48页
        4.1.3 扫描电子显微镜第48-49页
    4.2 晶片表面形貌分析第49-51页
        4.2.1 磨料粒径对晶片表面形貌的影响第49-50页
        4.2.2 磨料种类对晶片表面形貌的影响第50-51页
    4.3 晶片表面划痕形貌分析第51-56页
        4.3.1 划痕特性分析第52-53页
        4.3.2 磨粒划痕的材料脆塑性状态去除模式分析第53页
        4.3.3 划痕产生方式分析第53-56页
    4.4 磨料对划痕产生的影响第56-60页
        4.4.1 磨料种类对划痕产生的影响第56-57页
        4.4.2 磨料粒径对划痕形成的影响第57页
        4.4.3 磨料团聚对划痕的影响第57-58页
        4.4.4 磨料均匀性对划痕的影响第58-60页
    4.5 研磨工艺对划痕的影响第60-61页
        4.5.1 压力对划痕深度的影响第60页
        4.5.2 研磨盘材质对划痕的影响第60-61页
    4.6 晶片表面划痕产生机理研究第61-64页
    4.7 减少划痕产生研磨方法研究第64-68页
        4.7.1 弹性贴片研磨方法及实验结果第64-66页
        4.7.2 浮动加载研磨方法及实验结果第66-67页
        4.7.3 无划痕产生研磨方法研究第67-68页
    4.8 本章小结第68-70页
总结与展望第70-72页
参考文献第72-77页
攻读学位期间发表的论文第77-79页
致谢第79页

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