摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
目录 | 第7-10页 |
CONTENTS | 第10-13页 |
物理量名称及符号表 | 第13-14页 |
第一章 绪论 | 第14-22页 |
1.1 研究背景及意义 | 第14-16页 |
1.2 国内外加工单晶SiC的研究现状 | 第16-20页 |
1.3 单晶SiC晶片表面损伤研究现状 | 第20-21页 |
1.4 课题来源与研究内容 | 第21-22页 |
第二章 实验设计与研究方法 | 第22-30页 |
2.1 研磨加工原理 | 第22-23页 |
2.2 实验条件 | 第23-25页 |
2.2.1 实验设备 | 第23-24页 |
2.2.2 实验材料 | 第24-25页 |
2.3 研磨实验方案 | 第25-27页 |
2.3.1 晶片固着(贴片) | 第25页 |
2.3.2 研磨晶片 | 第25-26页 |
2.3.3 晶片清洗 | 第26-27页 |
2.4 检测与分析方法 | 第27-29页 |
2.4.1 材料去除率的测量与计算 | 第27-28页 |
2.4.2 晶片表面粗糙度的测量 | 第28页 |
2.4.3 晶片表面微观形貌的测量 | 第28-29页 |
2.5 本章小结 | 第29-30页 |
第三章 单晶SiC研磨工艺实验研究 | 第30-47页 |
3.1 磨料的影响 | 第31-37页 |
3.1.1 磨料种类对表面粗糙度及材料去除率的影响 | 第32-34页 |
3.1.2 磨料粒径对表面粗糙度及材料去除率的影响 | 第34-35页 |
3.1.3 磨料浓度对表面粗糙度及材料去除率的影响 | 第35-36页 |
3.1.4 混合磨料对表面粗糙度及材料去除率的影响 | 第36-37页 |
3.2 研磨盘的影响 | 第37-41页 |
3.2.1 研磨盘材质对加工表面粗糙度及材料去除率的影响 | 第37-39页 |
3.2.2 研磨盘开槽尺寸对加工表面粗糙度及材料去除率的影响 | 第39-41页 |
3.3 研磨工艺参数的影响 | 第41-44页 |
3.3.1 研磨加载重量对表面粗糙度及材料去除率的影响 | 第41-42页 |
3.3.2 研磨盘转速对表面粗糙度及材料去除率的影响 | 第42-43页 |
3.3.3 研磨液流量对表面粗糙度及材料去除率的影响 | 第43-44页 |
3.3.4 研磨时间对表面粗糙度及材料去除率的影响 | 第44页 |
3.4 研磨参数优化 | 第44-45页 |
3.5 本章小结 | 第45-47页 |
第四章 SiC晶片加工表面分析及损伤研究 | 第47-70页 |
4.1 晶片表面形貌及损伤的检测方法 | 第47-49页 |
4.1.1 超景深三维数码显微镜 | 第47页 |
4.1.2 激光共聚焦显微镜 | 第47-48页 |
4.1.3 扫描电子显微镜 | 第48-49页 |
4.2 晶片表面形貌分析 | 第49-51页 |
4.2.1 磨料粒径对晶片表面形貌的影响 | 第49-50页 |
4.2.2 磨料种类对晶片表面形貌的影响 | 第50-51页 |
4.3 晶片表面划痕形貌分析 | 第51-56页 |
4.3.1 划痕特性分析 | 第52-53页 |
4.3.2 磨粒划痕的材料脆塑性状态去除模式分析 | 第53页 |
4.3.3 划痕产生方式分析 | 第53-56页 |
4.4 磨料对划痕产生的影响 | 第56-60页 |
4.4.1 磨料种类对划痕产生的影响 | 第56-57页 |
4.4.2 磨料粒径对划痕形成的影响 | 第57页 |
4.4.3 磨料团聚对划痕的影响 | 第57-58页 |
4.4.4 磨料均匀性对划痕的影响 | 第58-60页 |
4.5 研磨工艺对划痕的影响 | 第60-61页 |
4.5.1 压力对划痕深度的影响 | 第60页 |
4.5.2 研磨盘材质对划痕的影响 | 第60-61页 |
4.6 晶片表面划痕产生机理研究 | 第61-64页 |
4.7 减少划痕产生研磨方法研究 | 第64-68页 |
4.7.1 弹性贴片研磨方法及实验结果 | 第64-66页 |
4.7.2 浮动加载研磨方法及实验结果 | 第66-67页 |
4.7.3 无划痕产生研磨方法研究 | 第67-68页 |
4.8 本章小结 | 第68-70页 |
总结与展望 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-77页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第77-79页 |
致谢 | 第79页 |