高迁移率非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备与特性研究
| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 符号说明 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-33页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 薄膜晶体管的研究现状 | 第13-17页 |
| 1.2.1 薄膜晶体竹发展 | 第14-15页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管在TFT-LCD中应用 | 第15-16页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管在AMOLED中的应用 | 第16-17页 |
| 1.3 薄膜晶体管的种类 | 第17-22页 |
| 1.3.1 非晶硅TFT | 第18-19页 |
| 1.3.2 多晶硅TFT | 第19-20页 |
| 1.3.3 有机TFT | 第20页 |
| 1.3.4 透明氧化物TFT | 第20-22页 |
| 1.4 薄膜晶体管的结构与工作原理 | 第22-31页 |
| 1.4.1 薄膜晶体管的结构 | 第22-24页 |
| 1.4.2 TFT与MOSFET比较 | 第24-25页 |
| 1.4.3 TFT的工作原理 | 第25-29页 |
| 1.4.4 TFT主要性能参数 | 第29-31页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第31-33页 |
| 第二章 薄膜的制备及表征方法 | 第33-41页 |
| 2.1 磁控溅射技术 | 第33-35页 |
| 2.1.1 磁控溅射的原理及特点 | 第33-34页 |
| 2.1.2 溅射仪器介绍 | 第34-35页 |
| 2.2 表征方法及原理 | 第35-41页 |
| 2.2.1 薄膜厚度 | 第35-36页 |
| 2.2.2 薄膜透射率 | 第36-37页 |
| 2.2.3 薄膜电学性能 | 第37-39页 |
| 2.2.4 薄膜结构特性 | 第39-41页 |
| 第三章 IGZO-TFT的制备与性能研究 | 第41-61页 |
| 3.1 IGZO-TFT的制备 | 第41-44页 |
| 3.2 有源层厚度对IGZO-TFT性能的影响 | 第44-50页 |
| 3.3 退火温度对IGZO-TFT性能的影响 | 第50-56页 |
| 3.4 氧气含量对IGZO-TFT性能的影响 | 第56-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 基于IGZO为源漏电极的IGZO-TFT | 第61-65页 |
| 4.1 器件的制备 | 第61页 |
| 4.2 IGZO-TFT器件的性能 | 第61-64页 |
| 4.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 5.1 主要结果 | 第65-66页 |
| 5.2 主要创新点 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第73-74页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第74页 |
