| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 文献综述 | 第8-22页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第8-11页 |
| 1.1.1 多晶硅在中国的发展 | 第8-10页 |
| 1.1.2 多晶硅制造质量的发展 | 第10-11页 |
| 1.2 课题研究的现状 | 第11-21页 |
| 1.2.1 多晶硅质量标准 | 第11-14页 |
| 1.2.2 多晶硅质量影响因素的现状 | 第14-20页 |
| 1.2.3 多晶硅质量因素的分析缺陷 | 第20-21页 |
| 1.3 本论文的研究思路和研究内容 | 第21-22页 |
| 1.3.1 研究思路 | 第21页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 三氯氢硅原料对多晶硅质量的影响 | 第22-56页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 检测设备和方法 | 第23-26页 |
| 2.3 三氯氢硅(TCS)的质量控制 | 第26-37页 |
| 2.4 精馏TCS的质量控制 | 第37-50页 |
| 2.5 精馏TCS的质量波动对多晶质量的影响 | 第50-55页 |
| 2.5.1 精馏TCS质量与多晶硅质量 | 第50页 |
| 2.5.2 硼(B)含量对多晶质量的影响 | 第50-52页 |
| 2.5.3 磷(P)含量对多晶质量的影响 | 第52-54页 |
| 2.5.4 总碳（Tc）对多晶硅质量的影响 | 第54页 |
| 2.5.5 金属元素对多晶硅质量的影响 | 第54-55页 |
| 2.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第3章 氢气对多晶硅质量的影响 | 第56-63页 |
| 3.1 引言 | 第56页 |
| 3.2 氢气的制备与质量 | 第56-57页 |
| 3.2.1 氢气的制备 | 第56-57页 |
| 3.2.2 氢气的质量指标 | 第57页 |
| 3.3 氢气的流程与质量控制 | 第57-62页 |
| 3.3.1 氢气的流程 | 第57页 |
| 3.3.2 氢气的质量控制 | 第57-58页 |
| 3.3.3 氢气对多晶硅质量的影响 | 第58-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第4章 多晶硅沉积过程对质量的影响 | 第63-76页 |
| 4.1 引言 | 第63页 |
| 4.2 多晶硅沉积的影响因素 | 第63-74页 |
| 4.2.1 多晶硅沉积的反应机理 | 第63-66页 |
| 4.2.2 氢气(H2)与TCS配比对多晶硅沉积质量的影响 | 第66页 |
| 4.2.3 温度对多晶硅沉积质量的影响 | 第66-71页 |
| 4.2.4 二氯二氢硅（DCS）对多晶硅沉积质量的影响 | 第71-74页 |
| 4.3 本章小结 | 第74-76页 |
| 第5章 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |