| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 红外探测器的概述 | 第11-14页 |
| 1.1.1 红外探测器的应用 | 第11-12页 |
| 1.1.2 红外探测器的分类 | 第12-13页 |
| 1.1.3 红外探测器的发展历程 | 第13-14页 |
| 1.2 热释电红外探测器 | 第14-21页 |
| 1.2.1 热释电效应 | 第14页 |
| 1.2.2 热释电材料 | 第14-16页 |
| 1.2.3 热释电红外探测器的基本原理 | 第16-17页 |
| 1.2.4 热释电材料的性能参数 | 第17-18页 |
| 1.2.5 热释电器件的性能参数 | 第18-21页 |
| 1.3 热释电器件的信号处理电路 | 第21-24页 |
| 1.3.1 信号处理电路概述 | 第21页 |
| 1.3.2 前置放大器(阻抗匹配) | 第21-23页 |
| 1.3.3 选读(通)电路 | 第23-24页 |
| 1.4 本文所做的工作及意义 | 第24-26页 |
| 第二章 实验方案 | 第26-36页 |
| 2.1 热释电复合膜的制备 | 第26-29页 |
| 2.1.1 复合材料的制备 | 第26页 |
| 2.1.2 电极的制备 | 第26-28页 |
| 2.1.3 厚膜的极化 | 第28-29页 |
| 2.2 复合材料性能测定 | 第29-31页 |
| 2.2.1 敏感元热释电系数的测定 | 第29-30页 |
| 2.2.2 敏感元介电性能的测定 | 第30-31页 |
| 2.2.3 敏感元热释电材料体积比热测定 | 第31页 |
| 2.2.4 敏感元红外吸收率的测定 | 第31页 |
| 2.3 激光切割技术 | 第31页 |
| 2.4 热释电器件的仿真及设计 | 第31-32页 |
| 2.5 表面贴装技术(SMT) | 第32-33页 |
| 2.6 器件电性能测试平台 | 第33-36页 |
| 第三章 Mn掺杂PZT与P(VDF-TrFE)复合膜的性能研究 | 第36-51页 |
| 3.1 厚膜的制备 | 第36-42页 |
| 3.1.1 电极的制备 | 第38-39页 |
| 3.1.2 厚膜的极化 | 第39-41页 |
| 3.1.3 激光切割(敏感元成型) | 第41-42页 |
| 3.2 厚膜的微观表征 | 第42-43页 |
| 3.3 不同PZTM与P(VDF-TrFE)质量比对复合膜热释电系数的影响 | 第43页 |
| 3.4 不同PZTM与P(VDF-TrFE)质量比对复合膜介电性能的影响 | 第43-45页 |
| 3.5 体积比C_v与探测优值F_D | 第45-46页 |
| 3.6 双元器件的电性能 | 第46-50页 |
| 3.7 本章总结 | 第50-51页 |
| 第四章 多元热释电红外传感器 | 第51-70页 |
| 4.1 四元器件的制作 | 第51-58页 |
| 4.1.1 单元器件的改进 | 第51-55页 |
| 4.1.2 四元器件及前放(匹配)电路 | 第55-58页 |
| 4.2 选通电路 | 第58-67页 |
| 4.2.1 控制电路设计 | 第58-62页 |
| 4.2.2 单元选通电路的设计 | 第62-65页 |
| 4.2.3 四元选读电路的设计 | 第65-67页 |
| 4.3 四元(两路)器件测试 | 第67-68页 |
| 4.4 本章总结 | 第68-70页 |
| 第五章 结论 | 第70-72页 |
| 附录 | 第72-77页 |
| STC单片机代码 | 第72-73页 |
| STM32代码及电路原理图 | 第73-76页 |
| STM32控制电路图 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第82-83页 |
