氧/碲化铟低维材料的气相合成及光电性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 In族半导体纳米材料的研究现状及应用 | 第8-11页 |
| 1.2.1 In族半导体纳米材料的研究现状 | 第8-10页 |
| 1.2.2 In族纳米材料的应用 | 第10-11页 |
| 1.3 In族半导体纳米材料的生长机理 | 第11-12页 |
| 1.3.1 气-固(VS)生长机制 | 第11页 |
| 1.3.2 气-液-固(VLS)生长机制 | 第11-12页 |
| 1.4 半导体纳米材料光电响应机理与评价 | 第12-14页 |
| 1.4.1 半导体纳米材料光电响应机理 | 第12-13页 |
| 1.4.2 半导体纳米材料光电响应评价 | 第13-14页 |
| 1.5 本文的主要研究内容及思路 | 第14-16页 |
| 1.5.1 研究内容 | 第14-15页 |
| 1.5.2 研究思路 | 第15-16页 |
| 2 实验平台及表征方法 | 第16-26页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 实验平台 | 第16-23页 |
| 2.2.1 化学气相沉积(CVD)系统 | 第16-18页 |
| 2.2.2 紫外光刻及镀膜技术 | 第18-21页 |
| 2.2.3 光电测试平台 | 第21-23页 |
| 2.3 材料表征方法 | 第23-24页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第23页 |
| 2.3.2 X-射线衍射仪(XRD) | 第23-24页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜(TEM) | 第24页 |
| 2.3.4 激光共焦拉曼光谱仪(Raman) | 第24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-26页 |
| 3 氧化铟纳米材料的气相合成及其光电性能 | 第26-43页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 实验部分 | 第26-28页 |
| 3.2.1 实验药品 | 第26-27页 |
| 3.2.2 气相法合成氧化铟纳米材料 | 第27-28页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第28-41页 |
| 3.3.1 氧化铟纳米材料的表征 | 第28-37页 |
| 3.3.2 氧化铟纳米材料生长机理分析 | 第37页 |
| 3.3.3 氧化铟纳米材料的光电性能 | 第37-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 4 碲化铟纳米材料的气相合成能 | 第43-58页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.2 实验部分 | 第44-46页 |
| 4.2.1 单元前驱体合成碲化铟纳米材料 | 第44-45页 |
| 4.2.2 多元前驱体合成碲化铟纳米材料 | 第45-46页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第46-57页 |
| 4.3.1 碲化铟纳米材料的表征 | 第46-56页 |
| 4.3.2 碲化铟纳米材料生长机理分析 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 5 全文总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 全文总结 | 第58页 |
| 5.2 工作展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
