碳化硅基VDMOS器件SPICE模型研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第8-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-17页 |
| 1.3 论文主要工作及设计指标 | 第17-18页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第18-20页 |
| 第二章 碳化硅基VDMOS器件基本结构和特性 | 第20-26页 |
| 2.1 碳化硅基VDMOS器件基本结构 | 第20页 |
| 2.2 碳化硅基VDMOS器件直流特性 | 第20-22页 |
| 2.3 碳化硅基VDMOS器件交流特性 | 第22-23页 |
| 2.4 碳化硅基VDMOS器件特殊性 | 第23-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 碳化硅基VDMOS器件直流模型 | 第26-52页 |
| 3.1 沟道区直流模型 | 第26-37页 |
| 3.2 积累区直流模型 | 第37-40页 |
| 3.3 JFET区直流模型 | 第40-42页 |
| 3.4 N-外延层区直流模型 | 第42-43页 |
| 3.5 N+衬底区直流模型 | 第43页 |
| 3.6 二级物理效应模型 | 第43-51页 |
| 3.7 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 碳化硅基VDMOS器件交流模型 | 第52-62页 |
| 4.1 电容模型和电荷划分 | 第52-54页 |
| 4.2 沟道区端电荷模型 | 第54-59页 |
| 4.3 积累区端电荷模型 | 第59-61页 |
| 4.4 JFET区端电荷模型 | 第61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 碳化硅基VDMOS器件模型的实现与验证 | 第62-76页 |
| 5.1 模型代码的实现及优化 | 第62-65页 |
| 5.2 模型数据测试 | 第65-66页 |
| 5.3 模型参数提取 | 第66-69页 |
| 5.4 模型验证 | 第69-74页 |
| 5.5 本章小结 | 第74-76页 |
| 第六章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 6.1 总结 | 第76页 |
| 6.2 展望 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 硕士期间取得的成果 | 第84页 |
