摘要 | 第3-4页 |
ABSTRACT | 第4-5页 |
1 绪论 | 第9-19页 |
1.1 含能材料的种类及发展 | 第9-11页 |
1.1.1 含能材料的种类 | 第9-10页 |
1.1.2 含能材料的发展 | 第10-11页 |
1.2 多孔硅的研究现状 | 第11-12页 |
1.2.1 多孔硅的发展历史 | 第11页 |
1.2.2 多孔硅含能材料的发展 | 第11-12页 |
1.3 多孔硅的制备方法 | 第12-14页 |
1.3.1 电化学阳极氧化法 | 第12-13页 |
1.3.2 化学浸蚀法 | 第13页 |
1.3.3 光化学腐蚀法 | 第13页 |
1.3.4 水热腐蚀法 | 第13-14页 |
1.4 多孔硅的形成机理 | 第14-16页 |
1.4.1 Beale 耗尽层模型 | 第14页 |
1.4.2 扩散限制模型 | 第14-15页 |
1.4.3 表面弯曲模型 | 第15页 |
1.4.4 量子限制模型 | 第15-16页 |
1.5 多孔硅的稳定化方法 | 第16-18页 |
1.5.1 阴极还原表面处理 | 第16-17页 |
1.5.2 阳极氧化表面处理 | 第17页 |
1.5.3 光化学氧化处理 | 第17页 |
1.5.4 热退火处理 | 第17-18页 |
1.5.5 高压水蒸汽退火处理 | 第18页 |
1.6 论文研究的目的及主要研究内容 | 第18-19页 |
1.6.1 研究目的 | 第18页 |
1.6.2 主要研究内容 | 第18-19页 |
2 实验 | 第19-25页 |
2.1 仪器、试剂及材料 | 第19-20页 |
2.1.1 仪器 | 第19页 |
2.1.2 试剂及材料 | 第19-20页 |
2.2 多孔硅的制备 | 第20-21页 |
2.3 多孔硅理化性质的测定 | 第21-22页 |
2.3.1 质量损失、膜厚、孔隙率 | 第21-22页 |
2.3.2 多孔硅的表面形貌 | 第22页 |
2.4 多孔硅/硝酸钆含能材料的制备及性能测试 | 第22-23页 |
2.4.1 多孔硅/硝酸钆含能材料的制备 | 第22页 |
2.4.2 多孔硅/硝酸钆含能材料爆炸性能的考察 | 第22页 |
2.4.3 多孔硅/硝酸钆含能材料爆炸光谱的测定 | 第22页 |
2.4.4 多孔硅/硝酸钆含能材料爆炸色温的测定 | 第22-23页 |
2.5 多孔硅的稳定化处理 | 第23-25页 |
2.5.1 阳极氧化表面处理 | 第23页 |
2.5.2 热退火处理 | 第23页 |
2.5.3 阴极还原表面处理 | 第23页 |
2.5.4 光化学氧化处理 | 第23-24页 |
2.5.5 高压水蒸气退火处理 | 第24页 |
2.5.6 红外光谱的测定 | 第24-25页 |
3 结果与讨论 | 第25-51页 |
3.1 阳极氧化条件对多孔硅形貌的影响 | 第25-26页 |
3.1.1 电流密度 | 第25页 |
3.1.2 阳极氧化时间 | 第25-26页 |
3.1.3 氢氟酸浓度 | 第26页 |
3.2 阳极氧化条件对孔隙率的影响 | 第26-30页 |
3.2.1 电流密度 | 第26-27页 |
3.2.2 阳极氧化时间 | 第27-28页 |
3.2.3 氢氟酸浓度 | 第28-29页 |
3.2.4 腐蚀溶液的种类 | 第29-30页 |
3.3 阳极氧化条件对多孔硅层膜厚的影响 | 第30-32页 |
3.3.1 电流密度 | 第30-31页 |
3.3.2 阳极氧化时间 | 第31页 |
3.3.3 氢氟酸浓度 | 第31-32页 |
3.4 质量损失随阳极氧化条件的变化 | 第32-34页 |
3.4.1 电流密度 | 第32页 |
3.4.2 阳极氧化时间 | 第32-33页 |
3.4.3 氢氟酸浓度 | 第33-34页 |
3.5 多孔硅/硝酸钆含能材料的爆炸性能 | 第34-40页 |
3.5.1 阳极氧化条件对多孔硅/硝酸钆含能材料爆炸性能的影响 | 第34-36页 |
3.5.2 多孔硅/硝酸钆含能材料爆炸现象 | 第36-37页 |
3.5.3 多孔硅/硝酸钆含能材料爆炸光谱及色温的测定 | 第37-40页 |
3.6 多孔硅稳定化处理 | 第40-50页 |
3.6.1 阳极氧化表面处理 | 第41-43页 |
3.6.2 热退火处理 | 第43-45页 |
3.6.3 光化学氧化处理 | 第45-46页 |
3.6.4 阴极还原表面处理 | 第46-48页 |
3.6.5 高压水蒸汽退火处理 | 第48-50页 |
3.7 多孔硅硝酸钆含能材料的热稳定性 | 第50-51页 |
4 结论与展望 | 第51-53页 |
4.1 结论 | 第51-52页 |
4.2 展望 | 第52-53页 |
致谢 | 第53-54页 |
参考文献 | 第54-58页 |