| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-38页 |
| 1.1 超导材料的概述 | 第12-14页 |
| 1.1.1 零电阻和迈斯纳效应 | 第12页 |
| 1.1.2 London 方程 | 第12-13页 |
| 1.1.3 临界磁场强度和临界电流密度 | 第13-14页 |
| 1.1.4 超导电性的 BCS 微观机制理论 | 第14页 |
| 1.2 高温超导体概述 | 第14-20页 |
| 1.2.1 高温超导体的发展 | 第14-17页 |
| 1.2.2 铜氧高温超导体 | 第17-20页 |
| 1.2.2.1 铜氧超导体的掺杂类型 | 第17页 |
| 1.2.2.2 铜氧高温超导体的掺杂浓度的调节 | 第17-20页 |
| 1.3 汞系铜氧超导体的合成 | 第20-24页 |
| 1.3.1 密封石英管法 | 第22-23页 |
| 1.3.2 高温高压法 | 第23-24页 |
| 1.4 高温高压反应制备超硬材料 | 第24-35页 |
| 1.4.1 高压设备 | 第24-29页 |
| 1.4.1.1 金刚石对顶砧 | 第24-26页 |
| 1.4.1.2 活塞圆筒形高压装置 | 第26-27页 |
| 1.4.1.3 Walker 型高温高压装置 | 第27-29页 |
| 1.4.2 立方硼碳氮型超硬材料的合成方法 | 第29-35页 |
| 1.5 本论文的选题意义及主要研究内容 | 第35-36页 |
| 1.6 本论文所涉及的主要测试仪器 | 第36-38页 |
| 第二章 单层和双层汞系高温超导体的合成 | 第38-66页 |
| 2.1 Hg1201 单晶体的合成 | 第38-43页 |
| 2.1.1 Hg1201 前驱体的制备 | 第38-40页 |
| 2.1.2 Hg1201 单晶体的生长 | 第40-43页 |
| 2.1.2.1 Hg1201 单晶体合成中水份的影响 | 第41-42页 |
| 2.1.2.2 Hg1201 单晶体合成中的程序升温过程 | 第42-43页 |
| 2.2 Hg1212 单晶体的合成 | 第43-54页 |
| 2.2.1 Hg1212 前驱体的制备 | 第44-45页 |
| 2.2.2 Hg1212 单晶体的生长 | 第45-54页 |
| 2.2.2.1 Hg1212 合成时反应原料的用量 | 第45-46页 |
| 2.2.2.2 Hg1212 单晶体的合成操作 | 第46-47页 |
| 2.2.2.3 Hg1212 单晶体的合成程序升温曲线的校正 | 第47-52页 |
| 2.2.2.4 原料中氧化汞用量的优化 | 第52-54页 |
| 2.3 单晶体的热处理及磁性测试 | 第54-63页 |
| 2.3.1 Hg1201 的单晶体热处理及磁性测试 | 第55-56页 |
| 2.3.2 Hg1212 的单晶体热处理及磁性测试 | 第56-63页 |
| 2.4 本章小结 | 第63-66页 |
| 第三章 Hg1201 单晶体的电荷密度波 | 第66-80页 |
| 3.1 电荷密度波 | 第66页 |
| 3.2 Hg1201 单晶体的 RXD 和 RIXS 测试 | 第66-76页 |
| 3.2.1 RXD 和 RIXS 的设备介绍 | 第66-67页 |
| 3.2.2 测试样品的制备 | 第67-68页 |
| 3.2.3 Hg1201 的电荷密度波的能量扫描 | 第68-69页 |
| 3.2.4 Hg1201 的电荷密度波的动量空间扫描 | 第69-71页 |
| 3.2.5 Hg1201 的电荷密度波的温度扫描 | 第71-76页 |
| 3.3 Hg1201 单晶体的硬 X 射线衍射 | 第76-78页 |
| 3.4 本章小结 | 第78-80页 |
| 第四章 高温高压下立方硼碳氮化合物的合成研究 | 第80-96页 |
| 4.1 机械球磨法制备硼碳氮前驱体 | 第80-83页 |
| 4.2 高温高压法合成立方硼碳氮化合物及样品的表征 | 第83-92页 |
| 4.2.1 反应原料的填装 | 第83-84页 |
| 4.2.2 有催化剂条件下的立方相硼碳氮化合物的高温高压合成及样品的表征 | 第84-92页 |
| 4.3 立方相硼碳氮化合物的形成分析 | 第92-93页 |
| 4.4 本章小结 | 第93-96页 |
| 第五章 结论与展望 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-110页 |
| 作者简历 | 第110-112页 |
| 攻读博士学位期间发表论文 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114页 |
