| 致谢 | 第5-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1. 引言 | 第11-18页 |
| 1.1 半导体技术发展 | 第11-12页 |
| 1.2 氮化镓 | 第12-15页 |
| 1.2.1 氮化镓发展历史 | 第12-13页 |
| 1.2.2 氮化镓结构性质 | 第13-14页 |
| 1.2.3 氮化镓的物理化学性质 | 第14-15页 |
| 1.3 GaN基高电子迁移率晶体管(GaN-HEMT) | 第15-16页 |
| 1.4 本论文的研究背景 | 第16页 |
| 1.5 本论文的研究工作和安排 | 第16-18页 |
| 2. Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结相关基础研究 | 第18-27页 |
| 2.1 氮化镓异质结结构 | 第18-19页 |
| 2.2 氮化镓异质结中的极化电荷 | 第19-20页 |
| 2.3 二维电子气中电子子带计算方法 | 第20-24页 |
| 2.3.1 氮化镓层中的2DEG分布 | 第21-23页 |
| 2.3.2 铝镓氮层中的2DEG分布 | 第23-24页 |
| 2.4 二维电子气浓度 | 第24-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 3. Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT散射理论 | 第27-36页 |
| 3.1 含时微扰理论 | 第27-28页 |
| 3.2 弛豫时间近似 | 第28-30页 |
| 3.3 基本散射机制 | 第30-35页 |
| 3.3.1 界面粗糙度散射 | 第30-32页 |
| 3.3.2 合金无序散射 | 第32-34页 |
| 3.3.3 极性光学声子散射 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 4. Al_xGa_(1-x)N/AlN/GaN材料中的散射 | 第36-45页 |
| 4.1 Al_xGa_(1-x)N/AlN/GaN HEMT结构中的2DEG浓度 | 第37-39页 |
| 4.2 Al_xGa_(1-x)N/AlN/GaN HEMT中的界面粗糙度散射 | 第39-40页 |
| 4.3 Al_xGa_(1-x)N/AlN/GaN HEMT中的合金无序散射 | 第40-42页 |
| 4.4 Al_xGa_(1-x)N/AlN/GaN HEMT中的总迁移率 | 第42-44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 5. 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 作者简历 | 第50-52页 |
| 学位论文数据集 | 第52页 |
