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矢量有限元三维张量CSAMT正演模拟研究

中文摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-18页
    1.1 研究的目的与意义第10-11页
    1.2 国内外电磁法数值模拟研究现状第11-16页
        1.2.1 积分方程法第11-12页
        1.2.2 有限差分法第12-13页
        1.2.3 有限元法第13-15页
        1.2.4 张量电磁法的数值模拟第15-16页
    1.3 主要研究内容及创新第16-18页
        1.3.1 主要研究内容第16-17页
        1.3.2 主要创新点第17-18页
第二章 背景场的计算及一维张量 CSAMT 正演第18-40页
    2.1 背景场的计算第18-31页
        2.1.1 X 方向电流源产生的电场及磁场第18-24页
        2.1.2 Y 方向源产生的电场及磁场第24-25页
        2.1.3 背景场的验证及精度分析第25-31页
    2.2 一维张量 CSAMT 正演第31-38页
        2.2.1 阻抗张量第31-32页
        2.2.2 模型算例及分析第32-38页
    2.3 本章小结第38-40页
第三章 带激电效应的一维张量 CSAMT 正演模拟第40-60页
    3.1 Cole-Cole 模型的引入第40-41页
    3.2 半空间模型第41-48页
        3.2.1 频率相关系数的影响第41-43页
        3.2.2 时间常数的影响第43-45页
        3.2.3 极化率的影响第45-48页
    3.3 层状介质模型第48-57页
        3.3.1 频率相关系数的影响第48-51页
        3.3.2 时间常数的影响第51-54页
        3.3.3 极化率的影响第54-57页
    3.4 本章小结第57-60页
第四章 基于矢量有限元法的三维张量 CSAMT 正演第60-90页
    4.1 有限元法的基本理论第60-62页
        4.1.1 边值问题第60页
        4.1.2 变分问题第60-62页
    4.2 正演理论第62-68页
        4.2.1 公式推导第62-64页
        4.2.2 网格剖分第64页
        4.2.3 矢量插值函数第64-66页
        4.2.4 单元分析及总体系数合成第66-67页
        4.2.5 磁场计算第67-68页
    4.3 电磁场及阻抗张量的验证及精度分析第68-72页
        4.3.1 电磁场的验证及精度分析第68-71页
        4.3.2 阻抗张量的验证及精度分析第71-72页
    4.4 三维异常体模型算例及分析第72-84页
        4.4.1 单一低阻体模型第73-76页
        4.4.2 单一高阻体模型第76-79页
        4.4.3 复杂模型算例第79-84页
    4.5 不同模式下视电阻率和阻抗相位在二、三维模型中的比较第84-86页
        4.5.1 二维模型和三维模型第84-85页
        4.5.2 模拟结果及分析第85-86页
    4.6 与三维有限差分法的比较第86-88页
        4.6.1 三维有限差分法第86-87页
        4.6.2 层状模型算例及分析第87-88页
    4.7 本章小结第88-90页
第五章 带激电效应的三维张量 CSAMT 正演模拟第90-110页
    5.1 Cole-Cole 模型参数对三维张量 CSAMT 的影响第90-108页
        5.1.1 三维低阻体模型第91-100页
        5.1.2 三维高阻体模型第100-108页
    5.2 本章小结第108-110页
第六章 结论及建议第110-114页
    6.1 本文的主要研究成果第110-111页
    6.2 今后需进一步研究的问题第111-114页
参考文献第114-124页
作者简介及在学期间取得的主要科研成果第124-126页
致谢第126页

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