摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-12页 |
1.1 国内外研究现状 | 第8-9页 |
1.2 论文研究内容及意义 | 第9-11页 |
1.3 设计指标 | 第11页 |
1.4 论文的组织结构 | 第11-12页 |
第2章 肌电信号放大器设计的基础知识 | 第12-28页 |
2.1 肌电信号 | 第12-13页 |
2.1.1 肌电信号特征 | 第12-13页 |
2.1.2 体表肌电信号探测电极 | 第13页 |
2.2 运算放大器 | 第13-24页 |
2.2.1 运算放大器的指标介绍 | 第14-15页 |
2.2.2 常见CMOS运放结构 | 第15-21页 |
2.2.3 共模反馈电路 | 第21-24页 |
2.3 运放的偏置 | 第24-26页 |
2.4 本章小结 | 第26-28页 |
第3章 0.18 μm CMOS工艺下放大器基于gm/i_d的设计方法 | 第28-34页 |
3.1 基于gm/i_d的设计方法 | 第28-29页 |
3.1.1 设计方法简介 | 第28-29页 |
3.1.2 0.18μm工艺下的gm/i_d的仿真 | 第29页 |
3.2 0.18μm工艺下MOS管的参数提取 | 第29-32页 |
3.3 本章小结 | 第32-34页 |
第4章 肌电信号放大器中运放的设计 | 第34-56页 |
4.1 肌电信号放大器的结构 | 第34-35页 |
4.2 肌电信号放大器的噪声分析 | 第35-40页 |
4.2.1 MOS管的噪声模型 | 第35-38页 |
4.2.2 多级电路级联的噪声传递 | 第38-39页 |
4.2.3 肌电信号放大器系统的噪声分析 | 第39-40页 |
4.3 电流源的设计 | 第40-44页 |
4.3.1 电流源的结构 | 第41页 |
4.3.2 启动电路 | 第41-42页 |
4.3.3 温漂系数 | 第42-43页 |
4.3.4 电源抑制比 | 第43页 |
4.3.5 基准电流源参数 | 第43-44页 |
4.4 第一级体表肌电信号放大器运放的设计与仿真 | 第44-50页 |
4.4.1 套筒共源共栅的噪声特性分析 | 第45-47页 |
4.4.2 第一级放大器的参数仿真 | 第47-50页 |
4.5 第二级体表肌电信号放大器运放的设计与仿真 | 第50-54页 |
4.5.1 第二级放大器的设计 | 第50-52页 |
4.5.2 第二级放大器的参数仿真 | 第52-54页 |
4.6 本章小结 | 第54-56页 |
第5章 反馈网络的设计与系统仿真 | 第56-66页 |
5.1 有源电阻的设计 | 第56-59页 |
5.2 数模转换器的设计 | 第59-61页 |
5.2.1 数模转换器的基本概念 | 第59页 |
5.2.2 数模转换器的结构 | 第59-60页 |
5.2.3 数模转换器的设计 | 第60-61页 |
5.3 系统级仿真 | 第61-63页 |
5.4 本章小结 | 第63-66页 |
第6章 版图与后仿结果 | 第66-74页 |
6.1 版图中的效应和预防措施 | 第66-67页 |
6.2 版图中应注意的问题 | 第67-69页 |
6.3 肌电信号放大器的版图与后仿真 | 第69-72页 |
6.4 本章小结 | 第72-74页 |
第7章 总结与展望 | 第74-76页 |
7.1 工作总结 | 第74页 |
7.2 工作展望 | 第74-76页 |
参考文献 | 第76-80页 |
作者简介 | 第80-82页 |
致谢 | 第82页 |