| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-25页 |
| 1.1 有机场效应晶体管介绍 | 第8-14页 |
| 1.1.1 有机场效应晶体管工作原理 | 第8-9页 |
| 1.1.2 有机场效应晶体管基本参数 | 第9-11页 |
| 1.1.3 有机场效应晶体管中的电荷传输 | 第11-13页 |
| 1.1.4 有机场效应晶体管优点与应用 | 第13-14页 |
| 1.2 有机场效应晶体管的稳定性 | 第14-23页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管稳定性的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管稳定性研究 | 第15-23页 |
| 1.3 本论文的选题依据与研究内容 | 第23-25页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第23-24页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第24-25页 |
| 第2章 器件制备工艺 | 第25-33页 |
| 2.1 酞菁铜（CuPc）单晶纳米带的制备 | 第25-28页 |
| 2.1.1 物理气相传输法（PVT） | 第25-26页 |
| 2.1.2 酞菁铜单晶纳米带的生长 | 第26-28页 |
| 2.2 器件的制备 | 第28-33页 |
| 2.2.1 栅极的制备 | 第29-30页 |
| 2.2.2 绝缘层的制备 | 第30-31页 |
| 2.2.3 纳米带的转移 | 第31页 |
| 2.2.4 源漏电极的制备 | 第31-33页 |
| 第3章 不同绝缘层器件阈值电压稳定性研究 | 第33-48页 |
| 3.1 器件基本性能表征 | 第33-40页 |
| 3.1.1 SiO_2绝缘层器件 | 第33-34页 |
| 3.1.2 PMMA绝缘层器件 | 第34-36页 |
| 3.1.3 PS绝缘层器件 | 第36-37页 |
| 3.1.4 PDMS绝缘层器件 | 第37-39页 |
| 3.1.5 空气绝缘层器件 | 第39-40页 |
| 3.2 不同绝缘层器件阈值电压稳定性的研究 | 第40-43页 |
| 3.2.1 CuPc固态绝缘层器件阈值电压稳定性 | 第40-42页 |
| 3.2.2 CuPc空气绝缘层器件阈值电压稳定性 | 第42-43页 |
| 3.3 弱化绝缘层极性对器件阈值电压稳定性的影响 | 第43-48页 |
| 3.3.1 基于久置CuPc纳米带空气绝缘层器件阈值电压的稳定性 | 第43-44页 |
| 3.3.2 久置纳米带弱化绝缘层对阈值电压稳定性的影响 | 第44-48页 |
| 第4章 总结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 致谢 | 第55页 |