应用于WSN的2.4GHz低电压射频接收前端的设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 课题研究背景与意义 | 第9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第10-12页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第10-11页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第11-12页 |
| 1.4 论文组织与结构安排 | 第12-13页 |
| 第2章 射频接收前端 | 第13-29页 |
| 2.1 接收机简介 | 第13-17页 |
| 2.1.1 超外差接收机 | 第13-14页 |
| 2.1.2 零中频接收机 | 第14-16页 |
| 2.1.3 低中频接收机 | 第16-17页 |
| 2.2 低噪声放大器 | 第17-24页 |
| 2.2.1 低噪声放大器的主要性能参数 | 第17-21页 |
| 2.2.2 低噪声放大器的基本结构 | 第21-24页 |
| 2.3 混频器 | 第24-28页 |
| 2.3.1 混频器的主要性能参数 | 第24-25页 |
| 2.3.2 混频器的基本结构 | 第25-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 低电压射频接收前端的设计与前仿真 | 第29-53页 |
| 3.1 LNA的设计 | 第29-36页 |
| 3.1.1 LNA的电路结构 | 第29-30页 |
| 3.1.2 LNA中的负载选择 | 第30-31页 |
| 3.1.3 LNA中的等效跨导提高技术 | 第31-33页 |
| 3.1.4 LNA中的电流复用技术 | 第33-35页 |
| 3.1.5 LNA的稳定性 | 第35-36页 |
| 3.2 下变频混频器的设计 | 第36-40页 |
| 3.2.1 下变频混频的电路结构 | 第36-37页 |
| 3.2.2 混频器跨导级的设计 | 第37-39页 |
| 3.2.3 混频器开关对的设计 | 第39-40页 |
| 3.2.4 混频器负载的设计 | 第40页 |
| 3.3 射频接收前端的整体电路 | 第40-41页 |
| 3.4 射频接收前端的前仿真 | 第41-51页 |
| 3.4.1 输入匹配S11的前仿真 | 第41-43页 |
| 3.4.2 电压转换增益的前仿真 | 第43-46页 |
| 3.4.3 单边带(SSB)噪声系数的前仿真 | 第46-47页 |
| 3.4.4 输入1dB压缩点的前仿真 | 第47-49页 |
| 3.4.5 输入三阶截点(ⅡP3)的前仿真 | 第49-50页 |
| 3.4.6 工作电流的前仿真 | 第50-51页 |
| 3.5 射频接收前端的前仿真结果 | 第51-52页 |
| 3.6 本章小节 | 第52-53页 |
| 第4章 低电压射频接收前端的版图设计及后仿真 | 第53-67页 |
| 4.1 集成电路版图设计要点 | 第53-55页 |
| 4.1.1 寄生参数 | 第53页 |
| 4.1.2 闩锁效应 | 第53-54页 |
| 4.1.3 天线效应 | 第54页 |
| 4.1.4 线电流密度 | 第54-55页 |
| 4.1.5 对称性 | 第55页 |
| 4.2 射频接收前端的版图设计 | 第55-57页 |
| 4.3 射频接收前端的后仿真 | 第57-65页 |
| 4.3.1 输入匹配S11的后仿真 | 第57-58页 |
| 4.3.2 电压转换增益的后仿真 | 第58-61页 |
| 4.3.3 单边带(SSB)噪声系数的后仿真 | 第61-62页 |
| 4.3.4 输入三阶截点(ⅡP3)后仿真 | 第62-63页 |
| 4.3.5 工作电流的后仿真 | 第63-65页 |
| 4.4 射频接收前端的后仿真结果 | 第65页 |
| 4.5 本章小节 | 第65-67页 |
| 第5章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 工作总结 | 第67页 |
| 5.2 工作展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第75页 |
