| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 半导体材料的发展 | 第9页 |
| 1.2 低维纳米材料结构 | 第9-12页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第10-11页 |
| 1.2.2 类石墨烯材料 | 第11-12页 |
| 1.3 稀磁半导体简述 | 第12-13页 |
| 1.3.1 巨塞曼效应 | 第12页 |
| 1.3.2 电斯塔克效应 | 第12页 |
| 1.3.3 反常霍尔效应 | 第12-13页 |
| 1.3.4 巨磁电阻反常现象 | 第13页 |
| 1.4 电场对半导体的调控 | 第13页 |
| 1.5 IV-VI族半导体材料硒化锡 | 第13-15页 |
| 1.5.1 硒化锡结构 | 第14页 |
| 1.5.2 硒化锡的制备方法 | 第14-15页 |
| 1.5.3 硒化锡的应用及前景 | 第15页 |
| 1.6 主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第17-29页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第17-24页 |
| 2.1.1 绝热近似和哈特里-福克(Hartree-Fock)近似 | 第18-20页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第20-21页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第21页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第21-22页 |
| 2.1.5 赝势方法 | 第22-24页 |
| 2.2 布洛赫定理 | 第24页 |
| 2.3 超原胞模型 | 第24-25页 |
| 2.4 半导体中的掺杂 | 第25页 |
| 2.5 范徳华修正 | 第25页 |
| 2.6 外加电场 | 第25-26页 |
| 2.7 VASP软件包 | 第26-29页 |
| 第三章 电场对Ti，Zn掺杂单层硒化锡磁性的影响 | 第29-37页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 计算方法和模型 | 第30页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第30-34页 |
| 3.3.1 硒化锡的结构 | 第30-31页 |
| 3.3.2 掺杂和电场对体系磁性的影响 | 第31-34页 |
| 3.4 结论 | 第34-37页 |
| 第四章 N，P，Cl掺杂对硒化锡的电子结构的影响 | 第37-43页 |
| 4.1 研究背景 | 第37-38页 |
| 4.2 理论模型和方法 | 第38页 |
| 4.3 结果讨论 | 第38-42页 |
| 4.3.1 结构 | 第38-39页 |
| 4.3.2 掺杂对硒化锡电子结构的影响 | 第39-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 总结及展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第55-56页 |