摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-7页 |
目录 | 第7-10页 |
符号说明 | 第10-11页 |
第一章 绪论 | 第11-31页 |
·有机电子的发展现状 | 第11-13页 |
·有机电子的具体应用 | 第12-13页 |
·有机薄膜晶体管在有机电子中的意义 | 第13页 |
·有机薄膜晶体管的结构及工作原理 | 第13-18页 |
·有机薄膜晶体管器件结构 | 第13-14页 |
·有机薄膜晶体管的分类与工作原理 | 第14-15页 |
·有机薄膜晶体管的电学性能参数 | 第15页 |
·有机薄膜晶体管的电流方程 | 第15-18页 |
·有机薄膜晶体管的组成材料 | 第18-23页 |
·有机半导体材料 | 第18-20页 |
·绝缘层材料 | 第20-22页 |
·电极材料 | 第22-23页 |
·有机薄膜晶体管的制备 | 第23-26页 |
·旋涂制备技术 | 第23页 |
·喷墨打印技术 | 第23-25页 |
·纳米压印技术 | 第25-26页 |
·真空蒸镀沉积 | 第26页 |
·非易失性有机薄膜晶体管存储器 | 第26-28页 |
·浮栅型有机晶体管存储器 | 第26-27页 |
·铁电型有机晶体管存储器 | 第27-28页 |
·基于聚合物绝缘层的有机薄膜晶体管存储器 | 第28页 |
·有机薄膜晶体管的电路设计以及应用 | 第28-29页 |
·本课题研究的目的及其意义 | 第29页 |
·本文的组织结构以及章节编排 | 第29-31页 |
第二章 新型有机半导体材料薄膜晶体管的性能表征 | 第31-41页 |
·引言 | 第31页 |
·稠环苯并噻吩BDNT有机薄膜晶体管的器件性能表征 | 第31-37页 |
·基于硅片的BDNT有机薄膜晶体管器件的制备 | 第32页 |
·不同衬底温度下BDNT有机薄膜形貌与器件性能 | 第32-35页 |
·基于聚合物绝缘层的BDNT有机薄膜晶体管的制备与性能分析 | 第35-37页 |
·苯并二噻吩DTBT系列有机薄膜晶体管的器件性能表征 | 第37-39页 |
·基于硅片的DTBT系列有机薄膜晶体管器件的制备 | 第37页 |
·不同衬底温度下DTBT系列有机薄膜形貌与器件性能 | 第37-38页 |
·基于聚合物绝缘层的DTBT系列有机薄膜晶体管的制备与性能分析 | 第38-39页 |
·本章小结 | 第39-41页 |
第三章 柔性有机薄膜晶体管的制备与表征 | 第41-47页 |
·引言 | 第41页 |
·柔性有机薄膜晶体管的器件结构与制备过程 | 第41-42页 |
·柔性有机薄膜晶体管器件结构 | 第41-42页 |
·柔性有机薄膜晶体管的制备过程 | 第42页 |
·PS修饰层对器件性能的改进 | 第42-44页 |
·柔性有机薄膜晶体管器件开关性能测试 | 第44-45页 |
·柔性有机薄膜晶体管器件机械弯曲测试 | 第45-46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
第四章 柔性有机薄膜晶体管电荷存储性能的表征 | 第47-57页 |
·引言 | 第47页 |
·器件结构与制备 | 第47-48页 |
·绝缘层电荷存储与阈值电压的关系 | 第48-49页 |
·光辅助电荷存储性能与机理分析 | 第49-52页 |
·器件对空穴的存储能力 | 第49页 |
·器件对电子的存储能力 | 第49-51页 |
·器件电子存储能力的机理解释 | 第51-52页 |
·电荷存储状态下机械弯曲测试结果 | 第52-53页 |
·热辅助电荷擦除性能与机理分析 | 第53-55页 |
·本章小结 | 第55-57页 |
第五章 有机薄膜晶体管反相器噪声容限优化模型及电路设计 | 第57-69页 |
·引言 | 第57页 |
·有机薄膜晶体管反相器 | 第57-59页 |
·噪声容限的意义以及定义 | 第59-60页 |
·不同噪声容限下反相器可靠性 | 第59-60页 |
·噪声容限的定义 | 第60页 |
·简化噪声容限模型公式推导 | 第60-65页 |
·晶体管工作电流与反相器工作区域 | 第60-62页 |
·简化噪声模型公式推导 | 第62-63页 |
·器件设计参数N的取值 | 第63-64页 |
·驱动管与负载管阈值电压的最优选择 | 第64-65页 |
·简化噪声模型归一化结果 | 第65页 |
·单阈值电压噪声容限模型以及仿真验证 | 第65-66页 |
·双阈值电压噪声容限模型以及仿真验证 | 第66-68页 |
·本章小结 | 第68-69页 |
第六章 结论以及下一步工作 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-75页 |
致谢 | 第75-77页 |
学术论文和科研成果目录 | 第77-79页 |
上海交通大学硕士学位论文答辩决议书 | 第79-81页 |