| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 缩写列表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 光电探测器原理 | 第10页 |
| 1.3 光电探测器分类 | 第10-14页 |
| 1.3.1 p-n结光电探测器 | 第11页 |
| 1.3.2 p-i-n结光电探测器 | 第11-12页 |
| 1.3.3 肖特基势垒光电探测器 | 第12-13页 |
| 1.3.4 MSM光电探测器 | 第13页 |
| 1.3.5 MIS光电探测器 | 第13-14页 |
| 1.4 论文主要工作及章节安排 | 第14-16页 |
| 第二章 波导探测器研究进展 | 第16-28页 |
| 2.1 光电探测器主要特性参数 | 第17-20页 |
| 2.1.1 暗电流与伏安特性 | 第17页 |
| 2.1.2 光谱响应度特性 | 第17-18页 |
| 2.1.3 C-V特性 | 第18-19页 |
| 2.1.4 响应时间特性 | 第19-20页 |
| 2.2 Ge-on-Si波导探测器 | 第20-23页 |
| 2.2.1 p-i-n结型Ge-on-Si波导探测器 | 第21-22页 |
| 2.2.2 雪崩型Ge-on-Si波导探测器 | 第22-23页 |
| 2.3 III-V族波导探测器 | 第23-27页 |
| 2.3.1 p-i-n型InGaAs /InP波导探测器 | 第23-24页 |
| 2.3.2 MSM型InGaAs波导探测器 | 第24-26页 |
| 2.3.3 GaN多量子阱波导探测器 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 波导探测器的设计仿真 | 第28-35页 |
| 3.1 波导基础理论 | 第28-30页 |
| 3.2 仿真方法 | 第30-32页 |
| 3.2.1 光束传播法 | 第30页 |
| 3.2.2 时域有限差分法 | 第30-32页 |
| 3.3 GaN多量子阱悬空波导探测器设计 | 第32-34页 |
| 3.3.1 GaN外延生长及衬底材料选择 | 第32-33页 |
| 3.3.2 悬空GaN波导结构设计及仿真 | 第33-34页 |
| 3.3.3 器件结构设计 | 第34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 波导探测器制备及结构表征 | 第35-44页 |
| 4.1 工艺及相关设备研究 | 第35-40页 |
| 4.1.1 紫外光刻工艺 | 第35-37页 |
| 4.1.2 刻蚀工艺 | 第37-39页 |
| 4.1.3 电子束蒸镀工艺 | 第39页 |
| 4.1.4 引线工艺 | 第39-40页 |
| 4.2 器件制备流程 | 第40-42页 |
| 4.3 器件物理结构表征 | 第42-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 波导探测器特性参数测量及结果分析 | 第44-51页 |
| 5.1 波导探测器特性参数测试方案 | 第44-46页 |
| 5.1.1 器件特性参数测量系统 | 第44-45页 |
| 5.1.2 测量位置标定 | 第45-46页 |
| 5.2 器件测试及结果分析 | 第46-50页 |
| 5.2.1 暗电流及I-V特性测试 | 第46-47页 |
| 5.2.2 光谱响应度特性及反射光谱测试 | 第47-48页 |
| 5.2.3 C-V特性测试 | 第48-49页 |
| 5.2.4 响应时间特性测试 | 第49-50页 |
| 5.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第51-52页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第57-58页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第58-59页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |