| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 第一章 C_(60)研究现状概述 | 第12-18页 |
| ·C_(60)的发现 | 第12-13页 |
| ·C_(60)的制备 | 第13-14页 |
| ·C_(60)的物理化学性质 | 第14-16页 |
| ·C_(60)的应用 | 第16-18页 |
| 第二章 Si(111)-7×7 表面介绍 | 第18-24页 |
| ·Si(111)-7×7 表面的结构 | 第18-21页 |
| ·Si(111)-7×7 表面的制备方法 | 第21-24页 |
| 第三章 实验仪器、方法与技术 | 第24-40页 |
| ·SPM 系统的发展简述 | 第24-25页 |
| ·SPM 系统的基本原理 | 第25-32页 |
| ·STM 的基本原理 | 第25-28页 |
| ·AFM 的基本原理 | 第28-31页 |
| ·其它SPM 系列原理介绍 | 第31-32页 |
| ·SPM 技术的优劣势分析 | 第32-33页 |
| ·实验中用到的SPM 仪器介绍 | 第33-40页 |
| 第四章 有序度对Si(111)-7×7 上C_(60)单分子层摩擦性质的影响 | 第40-46页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·实验部分 | 第40-41页 |
| ·单层膜的制备 | 第40-41页 |
| ·摩擦学测试 | 第41页 |
| ·实验结果及讨论 | 第41-45页 |
| ·退火温度对有序度的影响 | 第41-44页 |
| ·有序度对单分子层摩擦性质的影响 | 第44-45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 第五章 C_(60)多层膜的逐层生长及层数对其纳米摩擦性质的影响 | 第46-54页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·实验部分 | 第47-48页 |
| ·多层膜的生长控制 | 第47页 |
| ·纳米尺度下的摩擦学测试 | 第47-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-52页 |
| ·多层膜的形成 | 第48-50页 |
| ·样品的纳米摩擦性质 | 第50-52页 |
| ·结论 | 第52-54页 |
| 第六章 全文总结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第64页 |